[发明专利]导电性聚酰亚胺膜的制造方法有效
申请号: | 201180051621.7 | 申请日: | 2011-10-28 |
公开(公告)号: | CN103180390A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 奥聪志;柳田正美;加藤裕介;小岛正宽;伊藤卓 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | C08L79/08 | 分类号: | C08L79/08;C08G73/10;C08J5/18;C08K3/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;赵曦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 聚酰亚胺 制造 方法 | ||
1.一种导电性聚酰亚胺膜的制造方法,其特征在于,是含有导电赋予剂和聚酰亚胺树脂的导电性聚酰亚胺膜的制造方法,
将含有(A)聚酰胺酸、(B)导电赋予剂、以及(C)酰亚胺化促进剂的涂膜干燥及酰亚胺化,
所述(A)聚酰胺酸是使含有3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐的四羧酸二酐和含有4,4’-二氨基二苯醚的二胺化合物反应而成的。
2.根据权利要求1所述的导电性聚酰亚胺膜的制造方法,其中,3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐的含量在所述四羧酸二酐整体中为50~100摩尔%和/或4,4’-二氨基二苯醚的含量在所述二胺化合物整体中为50~100摩尔%。
3.根据权利要求1所述的导电性聚酰亚胺膜的制造方法,其中,所述四羧酸还含有3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐和/或所述二胺化合物还含有对苯二胺。
4.根据权利要求3所述的导电性聚酰亚胺膜的制造方法,其中,3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐的含量在所述四羧酸二酐整体中为10~100摩尔%,3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐的含量在所述四羧酸二酐整体中为0~90摩尔%,4,4’-二氨基二苯醚的含量在所述二胺化合物整体中为50~100摩尔%,并且,对苯二胺的含量在所述二胺化合物整体中为0~50摩尔%。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的制造方法,其中,所述(B)导电赋予剂含有碳性导电性粒子。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的导电性聚酰亚胺膜的制造方法,其中,所述(B)导电赋予剂的含量相对于所述(A)聚酰胺酸100重量份为1~50重量份。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的导电性聚酰亚胺膜的制造方法,其中,所述(C)酰亚胺化促进剂含有催化剂和化学脱水剂。
8.根据权利要求7所述的导电性聚酰亚胺膜的制造方法,其中,所述催化剂的使用量相对于所述(A)聚酰胺酸中的酰胺酸1摩尔在0.1~4.0摩尔当量的范围内。
9.根据权利要求7或8所述的导电性聚酰亚胺膜的制造方法,其中,所述化学脱水剂的使用量相对于所述(A)聚酰胺酸中的酰胺酸1摩尔在1.0~5.0摩尔当量的范围内。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的导电性聚酰亚胺膜的制造方法,其中,所述导电性聚酰亚胺膜的厚度为1~100μm的范围。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的导电性聚酰亚胺膜的制造方法,其中,所述导电性聚酰亚胺膜的厚度方向的体积电阻率在1.0×10-1~1.0×102Ωcm的范围内和/或表面电阻率在1.0×101~1.0×104Ω/□的范围内。
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