[发明专利]混合型有源-场间隙延伸漏极MOS晶体管

权利要求书

1.一种集成电路，其包括：

衬底；

延伸漏极金属氧化物半导体（MOS）晶体管，所述延伸漏极MOS晶体管包括：

延伸漏极，其在所述衬底中，所述延伸漏极包括漂移区，所述漂移区包括交替的场间隙漂移区和有源间隙区；

沟道区域，其在所述衬底中，所述沟道区紧靠所述漂移区；

场氧化物元件，其在所述延伸漏极中，邻近所述场间隙漂移区且与所述沟道区相对，使得所述延伸漏极在所述场氧化物元件下面延伸；

栅极介电层，其在所述衬底上，在所述沟道区和所述漂移区上方；

栅极，其在所述栅极介电层上，在所述沟道区上方，所述栅极包括在所述场间隙漂移区上方的场板，所述场板延伸到所述场氧化物元件上；以及

源极，其在所述衬底中，紧靠所述沟道区且邻近所述栅极。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中邻近每个所述有源间隙区存在至少一个漏极触点，并且邻近每个所述场氧化物元件、与重叠所述场氧化物元件的场板相对地存在至少一个漏极触点。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述场板具有锥形形状，使得每个所述场板在所述场氧化物元件上方的漏极末端宽度比每个所述场板在所述场板的与所述场氧化物元件相对的一侧上的源极末端宽度小至少100纳米。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述场板具有倒锥形形状，使得每个所述场板在所述场氧化物元件上方的漏极末端宽度比每个所述场板在所述场板的与所述场氧化物元件相对的一侧上的源极末端宽度大至少100纳米。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述延伸漏极MOS晶体管还包括：

漏极接触扩散区，其在所述延伸漏极中，紧靠所述有源间隙区和所述场氧化物元件；

漏极触点，其在所述漏极接触扩散区上；以及

源极触点，其在所述源极上。

6.一种集成电路，其包括：

衬底；

延伸漏极MOS晶体管，其为对称嵌套配置，所述延伸漏极MOS晶体管包括：

延伸漏极，其在所述衬底中，所述延伸漏极包括所述延伸漏极MOS晶体管的第一部分中的第一漂移区和所述延伸漏极MOS晶体管的第二部分中的第二漂移区，所述第一漂移区包括交替的第一场间隙漂移区和第一有源间隙区，并且所述第二漂移区包括交替的第二场间隙漂移区和第二有源间隙区；

第一沟道区，其在所述第一部分中的所述衬底中，所述第一沟道区紧靠所述第一漂移区；

第二沟道区，其在所述第二部分中的所述衬底中，所述第二沟道区紧靠所述第二漂移区，使得所述第二沟道区位于所述延伸漏极的与所述第一沟道区相对的一侧上；

场氧化物元件，其以交替线性配置设置在所述延伸漏极中，使得所述延伸漏极在所述场氧化物元件下面延伸，并且所述场氧化物元件邻近所述第一场间隙漂移区，与所述第一沟道区相对，且邻近所述第二场间隙漂移区，与所述第二沟道区相对；

栅极介电层，其在所述衬底上，在所述第一沟道区和所述第一漂移区上方，且在所述第二沟道区和所述第二漂移区上方；

第一栅极部件，其在所述栅极介电层上，在所述第一沟道区上方，所述第一栅极部件包括在所述第一场间隙漂移区上方的第一场板，所述第一场板延伸到所述场氧化物元件上；

第二栅极部件，其在所述栅极介电层上，在所述第二沟道区上方，所述第二栅极部件包括在所述第二场间隙漂移区上方的第二场板，所述第二场板延伸到所述场氧化物元件上；

第一源极，其在所述衬底上，紧靠所述第一沟道区且邻近所述第一栅极部件；以及

第二源极，其在所述衬底上，紧靠所述第二沟道区且邻近所述第二栅极部件；

漏极触点，其在所述漏极接触扩散区上，邻近所述第一有源间隙区和所述第二有源间隙区；

第一源极触点，其在所述第一源极上；以及

第二源极触点，其在所述第二源极上。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述漏极触点邻近每个所述第一有源间隙区和每个所述第二有源间隙区而形成。