[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直型半导体器件，包括具有开口的GaN基堆叠层，

所述GaN基堆叠层向顶层侧依次包括n型GaN基漂移层/p型GaN基势垒层/n型GaN基接触层，所述开口从顶层延伸并到达所述n型GaN基漂移层，所述半导体器件包括：

再生长层，所述再生长层被定位为覆盖所述开口的壁表面和底部，所述再生长层包括电子漂移层和电子供应层；

源电极，所述源电极与所述开口周围的所述n型GaN基接触层和所述再生长层接触；以及

栅电极，所述栅电极被定位在所述再生长层上，

其中所述栅电极覆盖所述再生长层的壁表面的一部分，所述部分具有与所述p型势垒层的厚度对应的长度，并且所述栅电极终止在壁表面上的下述位置处，所述位置离开覆盖所述开口的底部的所述再生长层的底部。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在所述再生长层的底部中的场板电极，所述场板电极被定位为覆盖至少所述再生长层的壁表面和底部彼此交叉处的脊。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，进一步包括设置在所述再生长层的底部和所述场板电极之间的绝缘膜。

4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的半导体器件，进一步包括设置在所述再生长层上和所述栅电极下面的绝缘层。

5.一种制造垂直型GaN基半导体器件的方法，包括：

在n型GaN基漂移层上形成p型GaN基势垒层的步骤；

在所述p型GaN基势垒层上形成n型GaN基接触层的步骤；

通过蚀刻，形成从顶层延伸并且到达所述n型GaN基漂移层的开口的步骤；

外延生长再生长层使其覆盖所述开口的壁表面和底部的步骤，所述再生长层包括电子漂移层和电子供应层；

在所述开口周围形成源电极使其与所述n型GaN基接触层和所述再生长层接触的步骤；以及

在所述再生长层上形成栅电极的步骤，

其中，在形成所述栅电极的步骤中，所述栅电极被形成为覆盖所述再生长层的壁表面的一部分，所述部分具有与所述p型GaN基势垒层的厚度对应的长度，并且使得所述栅电极终止在所述壁表面上的下述位置处，所述位置离开所述再生长层的底部。

6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，进一步包括：在形成所述栅电极的步骤之前或之后，形成场板电极使其覆盖所述再生长层的底部并且使其离开所述栅电极的步骤。

7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，其中，在形成所述场板的步骤中，在形成所述场板电极之前形成绝缘膜使其覆盖所述再生长层的底部和所述栅电极的终止部分，并且然后在所述绝缘膜上形成所述场板电极。