[发明专利]使用独立栅极鳍式场效应晶体管的稳定静态随机存取存储器位单元设计有效

专利信息
申请号: 201180053107.7 申请日: 2011-11-04
公开(公告)号: CN103201797A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 金圣克;康明谷;朴贤国;宋森秋;穆罕默德·阿布-拉赫马;韩秉莫;格立新;王忠泽 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C11/412 分类号: G11C11/412;H01L21/8244;H01L27/11
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 使用 独立 栅极 场效应 晶体管 稳定 静态 随机存取存储器 单元 设计
【权利要求书】:

1.一种静态随机存取存储器SRAM单元,其包括:

一对存储节点,其经配置以存储互补二进制值;

一对位线,其经配置以将所述互补二进制值发射到所述存储节点/从所述存储节点发射所述互补二进制值;

一对上拉装置,其经配置以将所述存储节点耦合到正电源供应电压;

一对下拉装置,其经配置以将所述存储节点耦合到负电源供应电压;

一对通过门装置,其经配置以将所述存储节点耦合到所述位线;

第一控制信号和第二控制信号,其经配置以调整所述通过门装置的驱动强度;以及

第三控制信号,其用以调整所述上拉装置的驱动强度。

2.根据权利要求1所述的SRAM单元,其中所述上拉装置、所述下拉装置和所述通过门装置包括一对IG-FinFET晶体管。

3.根据权利要求2所述的SRAM单元,其中所述第一控制信号在读取操作和写入操作期间维持在高电压状态;所述第二控制信号在写入操作期间维持在高电压状态;且所述第三控制信号在待用模式和写入操作期间维持在高电压状态。

4.根据权利要求3所述的SRAM单元,其中在读取操作中,所述通过门装置的驱动强度减小,以便改进读取静态噪声容限参数。

5.根据权利要求3所述的SRAM单元,其中在写入操作中,所述上拉装置的驱动强度减小,以便改进写入噪声容限参数。

6.根据权利要求1所述的SRAM单元,其中所述第一控制信号是在与位线方向正交的方向上投送,且所述第二和第三控制信号是在与所述位线方向相同的方向上投送。

7.根据权利要求1所述的SRAM单元,其集成于至少一个半导体裸片中。

8.根据权利要求1所述的SRAM单元,其集成到选自由以下各物组成的群组的装置中:机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元,和计算机。

9.一种形成静态随机存取存储器SRAM单元的方法,其包括:

配置一对存储节点以存储互补二进制值;

将一对位线耦合到所述存储节点以将所述互补二进制值发射到所述存储节点/从所述存储节点发射所述互补二进制值;

将一对上拉装置耦合到所述存储节点以便将所述存储节点连接到正电源供应电压;

将一对下拉装置耦合到所述存储节点以便将所述存储节点连接到负电源供应电压;

将一对通过门装置耦合到所述存储节点以便将所述存储节点连接到所述位线;

将第一控制信号和第二控制信号耦合到所述通过门装置以便调整所述通过门装置的驱动强度;以及

将第三控制信号耦合到所述上拉装置以便调整所述上拉装置的驱动强度。

10.根据权利要求9所述的方法,其包括使用一对IG-FinFET晶体管形成所述上拉装置、所述下拉装置和所述通过门装置。

11.根据权利要求10所述的方法,其包括在读取操作和写入操作期间将所述第一控制信号维持在高电压状态;在写入操作期间将所述第二控制信号维持在高电压状态;和在待用模式和写入操作期间将所述第三控制信号维持在高电压状态。

12.根据权利要求11所述的方法,其包括在读取操作期间,减小所述通过门装置的驱动强度,进而改进读取静态噪声容限参数。

13.根据权利要求11所述的方法,其包括在写入操作期间,减小所述上拉装置的驱动强度,进而改进写入噪声容限参数。

14.根据权利要求9所述的方法,其中在与位线方向正交的方向上投送所述第一控制信号,且在与所述位线方向相同的方向上投送所述第二和第三控制信号。

15.根据权利要求9所述的方法,其中所述SRAM单元集成于至少一个半导体裸片中。

16.根据权利要求9所述的方法,其中所述SRAM单元集成到选自由以下各物组成的群组的装置中:机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元,和计算机。

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