[发明专利]发光转换元件、用于制造发光转换元件的方法和具有发光转换元件的光电子构件

权利要求书

1.用于制造包括陶瓷材料的发光转换元件（4）的方法，具有下述步骤：

A）提供具有第一主表面（12）、第二主表面和第一横向表面（13）的造型体（10），其中所述造型体包括陶瓷材料和发光转换材料；

B）借助于结构化方法加工所述造型体（10）的所述第一主表面（12）和/或所述第二主表面，使得形成至少一个第一加工区域（15）和至少一个未加工区域，其中所述第一加工区域（15）基本上平行于所述第一横向表面（13）延伸；

C）通过切口（18）来分割成多个所述发光转换元件（4），所述切口基本上以与所述第一横向表面（13）正交的方式引入到加工的所述造型体（10，11，11’）的加工的主表面中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤B）之前或者之后附加地执行下述步骤：

D）加工所述第一主表面（12）和所述第二主表面，使得形成至少两个子体（11，11’），所述子体包括至少一个第二加工区域（16），所述第二加工区域基本上平行于所述第一横向表面（13）伸展。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述发光转换材料通过掺杂所述陶瓷材料形成。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述陶瓷材料选自碱土金属元素和稀土元素的石榴石。

5.根据上述权利要求之一所述的方法，其中在步骤B）、C）或D）之前，将至少一个加工的所述造型体（10）和/或至少一个加工的所述子体（11，11’）固定在辅助承载体（17）上。

6.根据权利要求5所述的方法，其中将至少一个加工的所述造型体（10）和/或至少一个加工的所述子体（11，11’）固定在所述辅助承载体（17）的凹部中。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中所述辅助承载体（17）由玻璃或者由陶瓷形成。

8.根据上述权利要求之一所述的方法，其中将在步骤A）中提供的所述造型体（10）的所述主表面的间距调节成，使得所述间距相应于在步骤C）中形成的所述发光转换元件（4）的相对置的侧面（40）的间距。

9.根据权利要求8所述的方法，其中要提供的所述造型体（10）的所述主表面的间距借助于磨削所述主表面中的至少一个来调节。

10.根据上述权利要求之一所述的方法，其中通过烧结坯体得到在步骤A）中提供的所述造型体（10），所述坯体通过注射成型方法、借助于流延成型、单轴压、冷等静压、热压或者热等静压来制造。

11.根据上述权利要求之一所述的方法，其中在步骤C）中得到的多个所述发光转换元件（4）的厚度为50μm至200μm。

12.根据上述权利要求之一所述的方法，其中借助于磨削或者锯切来执行步骤B）、C）和D）中的至少一个。

13.具有留空部（5）的陶瓷的发光转换元件（4），所述发光转换元件通过根据上述权利要求之一所述的方法来得到。

14.根据权利要求13所述的发光转换元件，其中所述发光转换元件（4）的主表面中的至少一个至少部分地具有用于辐射的改进的耦合输入和/或耦合输出的结构部。

15.具有发射辐射的半导体芯片（6）和根据权利要求13或14所述的陶瓷的发光转换元件（4）的光电子构件，其中所述发光转换元件（4）将由所述半导体芯片（6）发射的初级辐射至少部分地转换成次级辐射。