[发明专利]多层布线基板无效
申请号: | 201180054307.4 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN103222352A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 大见忠弘;后藤哲也;桥本昌和 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人东北大学;日本瑞翁株式会社 |
主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46;H01L23/12;H05K1/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张平元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 布线 | ||
1.一种多层布线基板,为夹着绝缘层层叠多个布线层而成的多层布线基板,其具有:
交替层叠有布线层和绝缘层的第一布线区域;
相对于该第一布线区域、绝缘层的厚度为2倍以上且布线层的宽度为2倍以上的第二布线区域;
所述第一布线区域和所述第二布线区域一体地形成于同一基板上,
其中,所述绝缘层由树脂材料构成,所述树脂材料通过使聚合性组合物进行本体聚合并进行交联而成,
所述聚合性组合物含有:环烯烃单体、聚合催化剂、交联剂、具有2个亚乙烯基的双官能化合物、以及具有3个亚乙烯基的三官能化合物,且所述双官能化合物和所述三官能化合物的含有比例以重量比的值(双官能化合物/三官能化合物)计为0.5~1.5。
2.如权利要求1所述的多层布线基板,其中,所述第二布线区域包括具有第三绝缘层和设置在该第三绝缘层上的第三布线层的部分,所述第三绝缘层比所述第二绝缘层的厚度厚,所述第三布线层比所述第二布线层的宽度宽。
3.如权利要求1或2所述的多层布线基板,其中,所述第二布线区域中,布线层的布线宽度为30μm以上且绝缘层的厚度为40μm以上。
4.如权利要求1~3中任一项所述的多层布线基板,其中,在所述第一布线区域和所述第二布线区域的边界部的绝缘层上,贯通该绝缘层形成有导体,且该导体接地。
5.如权利要求1~4中任一项所述的多层布线基板,其中,所述第二布线区域中由布线层形成的布线图案的特性阻抗为100Ω以上。
6.如权利要求1~5中任一项所述的多层布线基板,其中,在所述第一及所述第二布线区域中,至少所述第二布线区域的绝缘层由其相对介电常数为3.7以下且介质损耗角正切为0.0015以下的树脂材料形成。
7.一种半导体装置,其使用了权利要求1~6中任一项所述的多层布线基板作为半导体元件的搭载基板。
8.如权利要求7所述的半导体装置,其中,所述半导体元件和所述多层布线基板收纳于同一封装体中。
9.如权利要求7或8所述的半导体装置,其中,在所述第一布线区域传输频率为8GHz以下的信号,在所述第二布线区域传输频率超过8GHz的信号。
10.如权利要求7~9中任一项所述的半导体装置,其中,所述第二布线区域包含传输超过8GHz的信号1cm以上的部分。
11.一种电子装置,其使用了权利要求1~6中任一项所述的多层布线基板作为多个电子器件的搭载基板。
12.如权利要求11所述的电子装置,其中,所述多个电子器件和所述多层布线基板收纳于同一容器中。
13.如权利要求11或12所述的电子装置,其中,在所述第一布线区域传输频率为8GHz以下的信号,在所述第二布线区域传输频率超过8GHz的信号。
14.如权利要求11~13中任一项所述半导体装置,其中,所述第二布线区域包含传输超过8GHz的信号1cm以上的部分。
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