[发明专利]用于减轻蠕变腐蚀的方法有效
申请号: | 201180054707.5 | 申请日: | 2011-11-09 |
公开(公告)号: | CN103210704A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 蒂莫西·冯韦尔讷 | 申请(专利权)人: | 赛姆布兰特有限公司 |
主分类号: | H05K3/28 | 分类号: | H05K3/28 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 杨洲;郑霞 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 减轻 腐蚀 方法 | ||
本发明涉及一种用于减轻印刷电路板上的蠕变腐蚀的方法,涉及涂覆的印刷电路板以及涉及特定的聚合物减轻蠕变腐蚀的用途。
背景
蠕变腐蚀是电子工业中的主要问题。其对电子工业越来越大的影响被认为是各种因素的结果,例如无铅焊料越来越多的使用、部件的小型化以及电子组件暴露于越来越恶劣的环境。
蠕变腐蚀是一种质量传递过程,其中固体的腐蚀产物(通常是金属硫化物)在表面上迁移。其对于印刷电路板是特别的问题,其中腐蚀产物可以迁移至印刷电路板上的焊接掩模(solder mask)表面上。这可以导致印刷电路板上的相邻的导电轨之间发生短路以及产品出现故障。
蠕变腐蚀的机理未能得到充分理解,但是已知其是高硫环境中的特定问题,其中印刷电路板可以在六个星期内出故障。湿气也被认为是一个影响因素。
用于减轻蠕变腐蚀的各种策略已经被尝试。这样的策略包括:施用共形涂层;在组装之后清洁印刷电路板;精心地选择印刷电路板的表面抛光部(surface finish);以及覆盖印刷电路板上的所有非锡焊的导电轨。
这些所提出的每个解决方案已经显示出在至少某些情况下失效并且实际上可能使情况更糟。因此,在电子工业中存在对用于减轻蠕变腐蚀的更可靠和有效的方法的需要。
发明概述
本发明的发明人已经出人意料地发现等离子体聚合的氟代烃聚合物可以被用于减轻蠕变腐蚀。
因此,本发明提供用于减轻印刷电路板上的蠕变腐蚀的方法,所述印刷电路板包括基材、位于基材的至少一个表面上的多个导电轨、涂覆所述多个导电轨的至少第一区域的焊接掩模以及涂覆所述多个导电轨的至少第二区域的表面抛光部,所述方法包括通过等离子体聚合把氟代烃沉积至焊接掩模的至少一部分和表面抛光部的至少一部分上。
本发明还提供通过本发明的方法可获得的涂覆的印刷电路板。
本发明还提供涂覆的印刷电路板,包括基材、位于基材的至少一个表面上的多个导电轨、涂覆所述多个导电轨的至少第一区域的焊接掩模、涂覆所述多个导电轨的至少第二区域的表面抛光部以及在焊接掩模的至少一部分和表面抛光部的至少一部分上的等离子体聚合的氟代烃涂层。
本发明还提供等离子体聚合的氟代烃减轻印刷电路板的蠕变腐蚀的用途,所述印刷电路板包括基材、位于基材的至少一个表面上的多个导电轨、涂覆所述多个导电轨的至少第一区域的焊接掩模以及涂覆所述多个导电轨的至少第二区域的表面抛光部。
附图描述
图1示出了在7天硫粘土测试之后的实施例1的印刷电路板的一部分。非常少的蠕变腐蚀是可见的。
图2示出了在7天硫粘土测试之后的实施例2的印刷电路板的一部分。非常少的蠕变腐蚀是可见的。
图3示出了在7天硫粘土测试之后的实施例3的印刷电路板的一部分。非常少的蠕变腐蚀是可见的。
图4示出了在7天硫粘土测试之后的实施例4的印刷电路板的一部分。非常少的蠕变腐蚀是可见的。
图5示出了在7天硫粘土测试之后的实施例5的印刷电路板的一部分。非常少的蠕变腐蚀是可见的。
图6示出了在7天硫粘土测试之后的实施例6的印刷电路板的一部分。没有蠕变腐蚀是可见的。
图7示出了在7天硫粘土测试之后的实施例7的印刷电路板的一部分。非常少的蠕变腐蚀是可见的。
图8示出了在7天硫粘土测试之后的比较实施例1的印刷电路板的一部分。广泛的蠕变腐蚀是可见的。
图9示出了在7天硫粘土测试之后的比较实施例2的印刷电路板的一部分。广泛的蠕变腐蚀是可见的。
图10示出了在7天硫粘土测试之后的比较实施例3的印刷电路板的一部分。广泛的蠕变腐蚀是可见的。
图11示出了在7天硫粘土测试之后的比较实施例4的印刷电路板的一部分。广泛的蠕变腐蚀是可见的。
图12示出了在通过本发明的方法涂覆之前的印刷电路板的实例的横截面。
图13示出了涂覆的印刷电路板的实例的横截面。
本发明的详细描述
本发明的一个示例性的方法涉及通过等离子体聚合把等离子体聚合的氟代烃沉积至印刷电路板上,印刷电路板包括基材、位于基材的至少一个表面上的多个导电轨、涂覆所述多个导电轨的至少第一区域的焊接掩模以及涂覆所述多个导电轨的至少第二区域的表面抛光部。
特别地,示例性的方法可以涉及把等离子体聚合的氟代烃沉积至焊接掩模的至少一部分、表面抛光部的至少一部分以及所述多个导电轨的未被焊接掩模或表面抛光部涂覆的至少第三区域上。
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