[发明专利]等离子体处理用设备和等离子体处理用方法无效
申请号: | 201180055047.2 | 申请日: | 2011-11-16 |
公开(公告)号: | CN103229280A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 野泽俊久;田才忠;佐佐木胜;三原直辉;松本直树;茂山和基;吉川润 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/31 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 设备 方法 | ||
1.一种等离子体处理用设备,其包括:
处理容器,其设置有用于载置基体的载置台;
第一气体供给单元,其被构造成将第一气体供给至所述处理容器;
第一等离子体产生单元,其被构造成将所述第一气体的至少一部分转化成第一等离子体;
第二气体供给单元,其被构造成将第二气体供给至所述处理容器;和
第二等离子体产生单元,其被构造成将所述第二气体的至少一部分转化成第二等离子体;
其中,所述第二气体的入口距离所述载置台的高度低于所述第一气体的入口距离所述载置台的高度。
2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第二等离子体产生单元在所述第二气体进入所述处理容器之后立即将所述第二气体的至少一部分转化成所述第二等离子体。
3.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第二气体的入口位于所述处理容器的侧壁。
4.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第一等离子体产生单元和所述第二等离子体产生单元彼此分开。
5.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第一等离子体产生单元包括被构造成产生第一微波的第一机构,所述第二等离子体产生单元包括被构造成产生第二微波的第二机构,并且所述第一微波的频率和所述第二微波的频率彼此不同。
6.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述设备进一步包括用于调节所述第一气体和所述第二气体的量比的控制器。
7.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第一气体包含溴化氢。
8.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第二等离子体产生单元包括:
被构造成产生微波的机构;和
被构造成改变所述微波的偏振特性的构件。
9.根据权利要求8所述的设备,其特征在于,所述构件包括:
第一介电窗和第二介电窗;以及
设置有多个缝隙的导体,所述导体介于所述第一介电窗和所述第二介电窗之间。
10.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第二等离子体产生单元包括被构造成产生电感耦合等离子体的线圈。
11.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第二气体包含具有不同离解常数的至少两种气体。
12.一种等离子体处理用设备,其包括:
处理容器,其设置有用于载置基体的载置台;
第一气体供给单元,其被构造成将第一气体供给至所述处理容器,所述第一气体的入口位于所述处理容器的上侧;
第一等离子体产生单元,其被构造成将所述第一气体的至少一部分转化成第一等离子体;
第二气体供给单元,其被构造成将第二气体供给至所述处理容器,所述第二气体的入口位于所述处理容器的侧壁;和
第二等离子体产生单元,其被构造成将所述第二气体的至少一部分转化成第二等离子体。
13.一种等离子体处理用方法,所述处理在处理容器内进行,所述处理容器设置有用于载置基体的载置台,所述方法包括如下步骤:
将第一气体从第一入口供给至所述处理容器;
将所述第一气体的至少一部分转化成第一等离子体;
将第二气体从第二入口供给至所述处理容器;和
将所述第二气体的至少一部分转化成第二等离子体,
其中,所述第二入口距离所述载置台的高度低于所述第一入口距离所述载置台的高度。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,在所述第二气体进入所述处理容器之后立即将所述第二气体的至少一部分转化成所述第二等离子体。
15.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述第二入口位于所述处理容器的侧壁。
16.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述第一气体包含溴化氢。
17.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述第二气体由等离子体产生单元进行转化,所述单元包括:
被构造成产生微波的机构;和
被构造成改变所述微波的偏振特性的构件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造