[发明专利]等离子体处理用设备和等离子体处理用方法

说明书

交叉引用

本申请要求2010年11月17日提交的美国临时申请序列号No.61/458,153的优先权，该申请的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及等离子体处理用设备和等离子体处理用方法。

背景技术

诸如LSI（大规模集成电路）和MOS（金属氧化物半导体）等的半导体装置是通过使诸如半导体晶片和玻璃基体等的基体经受诸如蚀刻、CVD（化学气相沉积）和溅射等的处理而制造的。这里，可以采用等离子体作为用于这种处理的能量源。这种等离子体处理的示例包括：等离子体蚀刻、等离子体CVD、等离子体ALD、等离子体溅射和等离子体掺杂。

在制造半导体装置时，要求基体的面内处理均匀。然而，存在着很多妨碍这种均匀性的偏压。可能由于设备的器材差异或设备中的等离子体分布的不均匀性而导致这些偏压。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种等离子体处理用设备。该设备包括：处理容器，其设置有用于载置基体的载置台；第一气体供给单元，其被构造成将第一气体供给至所述处理容器；第一等离子体产生单元，其被构造成将所述第一气体的至少一部分转化成第一等离子体；第二气体供给单元，其被构造成将第二气体供给至所述处理容器；和第二等离子体产生单元，其被构造成将所述第二气体的至少一部分转化成第二等离子体。在该设备中，所述第二气体的入口距离所述载置台的高度低于所述第一气体的入口距离所述载置台的高度。

根据本发明的第二方面，提供一种等离子体处理用设备。该设备包括：处理容器，其设置有用于载置基体的载置台；第一气体供给单元，其被构造成将第一气体供给至所述处理容器，所述第一气体的入口位于所述处理容器的上侧；第一等离子体产生单元，其被构造成将所述第一气体的至少一部分转化成第一等离子体；第二气体供给单元，其被构造成将第二气体供给至所述处理容器，所述第二气体的入口位于所述处理容器的侧壁；和第二等离子体产生单元，其被构造成将所述第二气体的至少一部分转化成第二等离子体。

根据本发明的第三方面，提供一种等离子体处理用方法。所述处理在处理容器内进行，所述处理容器设置有用于载置基体的载置台。所述方法包括如下步骤：将第一气体从第一入口供给至所述处理容器；将所述第一气体的至少一部分转化成第一等离子体；将第二气体从第二入口供给至所述处理容器；和将所述第二气体的至少一部分转化成第二等离子体。在该方法中，所述第二入口距离所述载置台的高度低于所述第一入口距离所述载置台的高度。

附图说明

[图1]图1示出根据本发明的一个实施方式的等离子体处理用设备的示例的截面图。

[图2]图2示出图1中示出的设备的缝隙天线板（slot antenna plate）的示意图。

[图3]图3示出根据本发明的一个实施方式的等离子体处理用设备的变型例的截面图。

[图4]图4示出根据本发明的一个实施方式的等离子体处理用设备的变型例的截面图。

[图5]图5示出根据本发明的一个实施方式的等离子体处理用设备的变型例的截面图。

[图6-A]图6-A示出根据本发明的另一实施方式的等离子体处理用设备的示例的截面图。

[图6-B]图6-B示出图6-A中示出的设备的第二气体供给单元的示意图。

[图7-A]图7-A示出根据本发明的另一实施方式的等离子体处理用设备的示例的截面图。

[图7-B]图7-B示出图7-A中示出的设备的载置台的示意图。

[图8]图8示出根据本发明的另一实施方式的等离子体处理用设备的示例的截面图。

[图9]图9示出根据本发明的另一实施方式的等离子体处理用设备的示例的截面图。

[图10]图10示出根据本发明的另一实施方式的等离子体处理用设备的示例的截面图。

[图11]图11描述了示出氧气体浓度与氧化速度或氧发光（oxygen luminescence）之间的关系的示例的图表。

具体实施方式

以下将参照附图说明本发明的实施方式，其中示出了本发明的优选示例性实施方式。下面的说明并不试图限制本公开的范围、适用性或构造。而是，下面的优选示例性实施方式的说明将为本领域技术人员提供用于实施本公开的优选示例性实施方式的可行说明。应该注意的是，可以在不背离如所附权利要求书所阐明的本发明的精神和范围的情况下以不同形式体现本发明。