[发明专利]组件和包括该组件的电子器件

权利要求书

1.一种组件，包括：

包含具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料的电介质层，其中所述电介质层不含氧化锆粒子；以及

与所述电介质层接触的半导体层，其中所述半导体层板含有非聚合物型有机半导体材料，并且其中所述半导体层基本上不含电绝缘聚合物。

2.根据权利要求1所述的组件，其中所述半导体层不含或基本上不含聚合物型有机半导体。

3.根据权利要求1或2所述的组件，其中所述具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料由包含可自由基聚合的异氰脲酸酯单体的单体组合物制成。

4.根据权利要求3所述的组件，其中所述可自由基聚合的异氰脲酸酯单体包含至少两个(甲基)丙烯酰基团。

5.根据权利要求3或4所述的组件，其中所述单体组合物包含基于所述单体组合物中的可自由基聚合的化合物的总重量计至少95重量％的所述可自由基聚合的异氰脲酸酯单体。

6.根据权利要求3或4所述的组件，其中所述单体组合物包含基于所述单体组合物中的可自由基聚合的化合物的总重量计至少99重量％的所述可自由基聚合的异氰脲酸酯单体。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的组件，其中所述可自由基聚合的异氰脲酸酯单体包括三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的组件，其中所述非聚合物型有机半导体包含并苯、杂并苯或它们的取代衍生物。

9.根据权利要求8所述的组件，其中所述并苯、杂并苯或它们的取代衍生物包含至少一个甲硅烷基乙炔基取代基。

10.根据权利要求9所述的组件，其中所述并苯选自6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、

6，13-双(异丙烯基二异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、

6，13-双(烯丙基二异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、

6，13-双(环丙基二异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、

6，13-双((1-亚甲基丙基)二异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、

6，13-双(烯丙基二环丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯，以及

6，13-双(环丙基二异丙基甲硅烷基乙炔基)-2，3，9，10-四甲基-并五苯。

11.一种包括根据权利要求1至10中任一项所述的组件的电子器件。

12.一种有机薄膜晶体管，包括：

栅极、

源极、

漏极，

以及根据权利要求1至10中任一项所述的组件，其中所述栅极邻近所述电介质层，并且其中所述源极和所述漏极与所述半导体层相邻。

13.根据权利要求12所述的有机薄膜晶体管，其中所述有机薄膜晶体管设置在聚合物基底上。

14.一种有机薄膜晶体管，包括：

栅极、

无机氧化物层、

源极、

漏极，

以及根据权利要求1至10中任一项所述的组件，其中所述无机氧化物层被夹在所述栅极和所述电介质层之间，并且其中所述源极和所述漏极与所述半导体层相邻。

15.根据权利要求14所述的有机薄膜晶体管，其中所述有机薄膜晶体管设置在聚合物基底上。