[发明专利]组件和包括该组件的电子器件

说明书

背景技术

多种电子器件包括具有半导体的元件；例如，具有与电介质层接触的半导体层的元件。例如，半导体层和通常被称为“栅极电介质”的电介质层可以是薄膜晶体管(TFT)的一部分。

认为栅极电介质的物理和化学性质皆影响在与栅极电介质连接的界面处的有机半导体的电子性能。当有机TFT(OTFT)在开启状态下时，即当已达到或超过某个栅极到源极的偏压并且漏电流已呈指数方式上升时，随着电荷从源电极通过有机半导体沿该界面传输到漏极，该界面对于性能而言是至关重要的。因此，人们在寻找电子性能优越的栅极电介质，所述优越的电子性能例如较高的载流子迁移率、较高的开/关电流比、较低的关断电流以及与有机半导体结合时的较小的亚阈值斜率。

在商业产品中实施OTFT所需的一个改进方面是使以相同方式制造的OTFT之间的电子性能更为一致或可重复，并且使同一个OTFT在各循环内的性能更为一致或可重复。人们寻找的是在OTFT运行期间更小的滞后。在驱动OTFT期间，由于多种因素包括电荷捕集和积聚在有机半导体和栅极电介质之间、或栅极电介质的暂时极化、或水分被栅极电介质吸收，可能导致滞后。

发明内容

在一个方面，本发明提供了组件，其包括：

包含具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料的电介质层，其中该电介质层不含氧化锆粒子；以及

与电介质层接触的半导体层，其中该半导体层含有非聚合物型有机半导体材料，其中该半导体层基本上不含电绝缘聚合物，并且其中。

根据本发明的组件在(例如)电子元件和器件中是有用的。

因此，还提供了包括根据本发明的组件的电子器件。

在另一个方面，本发明提供了有机薄膜晶体管，其包括：

栅极、

源极、

漏极，

以及根据本发明的组件，其中栅极与电介质层相邻，并且其中源极和漏极与半导体层相邻。

在又一个方面，本发明提供了有机薄膜晶体管，其包括：

栅极、

无机氧化物层、

源极、

漏极，

以及根据本发明的组件，其中无机氧化物层被夹在栅极和电介质层之间，并且其中源极和漏极与半导体层相邻。

如本文所用：

“(甲基)丙烯酰基”是指丙烯酰基和/或甲基丙烯酰基；并且

“异氰脲酸酯基团”是指由以下结构表示的杂环基团：

其中是指可用于形成共价键的位点。

在考虑具体实施方式以及所附权利要求书之后，将进一步理解本发明的特征和优点。

附图说明

图1是根据本发明的示例性组件的示意性侧视图；

图2A-2D是示例性薄膜晶体管的实施例的示意性剖视图；并且

图3是实例1和比较例C-2的漏源电流与栅源偏压的关系的图线。

尽管上述附图示出了本发明的若干示例性实施例，但如论述中所述，也可以构想出其他实施例。在所有情况下，本公开都是示例性而非限制性地示出本发明。附图可能并未按比例绘制。

具体实施方式

现在参见图1，示例性组件100包括电介质层110和与电介质层110接触的半导体层120。

电介质层110包含具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料，其中该电介质层不含氧化锆粒子。所述具有异氰脲酸酯基团的交联的聚合物材料可以是具有异氰脲酸酯基团的任何聚合物材料。例子包括聚合的可聚合组合物，其中该可聚合组合物包含具有以下基团的至少一种化合物：至少一个异氰脲酸酯基团和至少一个可聚合基团例如环氧基团、异氰酸酯基团(-N＝C＝O)、可水解的硅烷基团(例如，-Si(OR)₃，其中R为C₁-C₄烷基或C₁-C₄酰基)、可自由基聚合的基团(例如，(甲基)丙烯酰基)和/或它们的组合。该可聚合组合物还可以包含不含有异氰脲酸酯基团的另外的可聚合材料。例子包括环氧树脂、多异氰酸酯、可水解硅烷、(甲基)丙烯酸酯以及它们的组合。还可以使用能经受诸如缩聚反应的聚合方法的其他官能团。对另外的可聚合材料、固化剂/引发剂和聚合的类型的选择对于本领域的技术人员将是显而易见的。为了确保交联，通常需要可聚合组合物的至少一个可聚合组分是多官能的(即，其具有至少两个可聚合基团)。