[发明专利]形成电组件和存储器胞元的方法

权利要求书

1.一种形成电组件和所述电组件之间的介入区的方法，其包括：

在第一结构之上形成两个或两个以上暴露的表面配置；所述表面配置中的一者为第一配置且所述表面配置中的另一者为第二配置；

跨越所述表面配置形成材料；所述材料包括两个或两个以上域；所述域中的第一者是通过所述第一表面配置诱发，且所述域中的第二者是通过所述第二表面配置诱发；

在所述材料之上形成第二结构；所述第一域并入到在所述第一与第二结构之间的重叠区处的电组件中；以及

移除所述第二域并用介电材料替换所述第二域以提供所述介电材料作为邻近电组件之间的介入区，或直接利用所述第二域作为邻近电组件之间的介入区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二结构为导电结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述材料为结晶材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二域经移除并由电介质替换。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二域用作介入区。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述电组件包含存储器胞元、电互连件和二极管中的一者或一者以上。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述材料为存储器胞元材料，且其中所述电组件为可变电阻存储器胞元。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述材料为含有锗的硫族化物。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述材料为钙钛矿。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述材料包括Pr、Ca、Mn和O。

11.一种形成多个存储器胞元的方法，其包括：

在第一传导结构之上形成半导体衬底以具有两个或两个以上暴露的表面配置；所述表面配置中的一者为第一配置且所述表面配置中的另一者为第二配置；

跨越所述表面配置形成材料；所述材料包括两个或两个以上域；所述域中的第一者是通过所述第一表面配置诱发，且所述域中的第二者是通过所述第二表面配置诱发；以及

在所述材料之上形成第二传导结构；所述材料的所述第一域并入到存储器胞元中，且所述第二域为邻近存储器胞元之间的介入区。

12.根据权利要求11所述的方法，其中仅所述存储器胞元直接介于所述第一与第二传导结构之间。

13.根据权利要求11所述的方法，其中：

所述第一传导结构具有上表面；

所述第二传导结构具有下表面；且

所述第一域为相对于所述上表面和下表面大体上正交地延伸的柱。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述材料包括以下各项中的一者或一者以上：硫族化物、钙钛矿、过渡金属氧化物、硼酸盐、含有贵金属的组合物、有机聚合物和分子晶体。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一与第二域之间的差异在所述第一和第二域的晶格结构内。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一与第二域之间的差异在所述第一和第二域的个别微晶的布置内。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一和第二表面配置相对于彼此在化学组成上不同。

18.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一和第二表面配置相对于彼此具有不同的纹理化。

19.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一和第二表面配置相对于彼此具有不同的纹理化，且在化学组成上彼此相同。

20.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一和第二表面配置相对于彼此具有不同的纹理化，且相对于彼此具有不同的化学组成。