[发明专利]用于微电子组装体的聚合物组合物

说明书

相关申请的交叉引用

本申请有资格获得和要求于2010年11月23日提交的具有序列号61/416508且标题为用于微电子组装体的聚合物组合物的美国临时专利的优先权。此临时专利全文引入本文作为参考。

技术领域

根据本发明的实施方案总体上涉及可用于将微电子组件安装到基材上的聚合物组合物，更特别涉及既提供保持微电子组件在基材上的所需位置，又提供此类组件与所述基材的焊料粘结(solder bonding)的助熔(fluxing)并保留在适当位置作为底部填料的聚合物组合物。

背景技术

虽然组装的电子电路在尺寸方面已经显著地减小，但是使用焊接作为形成电子组件与基材的电连接和可固定连接的方法仍然十分普遍。然而，此种连接要求各种组件在完成上述焊料连接之前，且在底部填料电连接后保持在所需位置中。底部填料连接可以增加焊料球连接(a solder ball connection)的热疲劳寿命、环境上保护所述连接、并为组装的电子电路提供更大的机械冲击和牢固性。

已经开发了临时地保持组件在这些所需位置中的许多解决方案并得到一定成功地使用。例如，可以使用粘合剂(tack agent)将这些组件固定到基材上，同时经由施加热形成焊料粘结或焊料球连接。在形成这些临时连接后，粘合剂会作为污染物保留或对所述组件实施设计用来除去此种污染的额外加工步骤。对于上述解决方案中的一些，与所述粘合剂分开地提供助熔剂(a fluxing agent)，例如通过在相异的施加步骤(与所述粘合剂的施加分开)中施加此类助熔剂。在其它解决方案中，与所述粘合剂组合地提供助熔剂，例如其中焊料糊剂用作粘合剂并将助熔剂添加到其中或使助熔剂与其预反应。

在还有的其它解决方案中(参见美国专利号5,177,134或美国公开申请号2009/0294515，分别是‘134专利和‘515申请)，将粘合剂和助熔剂掺混，其中在焊接时，所述粘合剂挥发或分解。然而，已经发现，当粘合剂在等于或大于焊料回流温度的温度下挥发或分解时，如上述文献中每一篇教导那样，限制任一焊料回流，来自粘合剂的显著污染会残留或要求特种的工艺设备。

因此，下述的新解决方案将是合乎需要的：所述解决方案能提供在完成焊料连接之前保持组件在所需位置的单一材料(即，表现为粘合剂)，提供可能受期望的任何助熔(即，表现为助熔剂)以及提供电连接后底部填料(a post electrical connection underfill)。另外，如果所述解决方案将消除对上述特种设备的需要，并减少或消除达到合乎需要的焊料回流遇到的问题和/或与可能由其导致的任何污染相联系的问题，将是有利的。

发明内容

详细描述

将参照下文中提供的实施例和权利要求描述根据本发明的示例性实施方案。本文描述的这些示例性实施方案的各种改进、改编或变型由于这些实施方案被公开的缘故而对本领域技术人员是显而易见的。应当理解，依赖于本发明教导的、和这些教导经由它们已经推进现有技术的所有这些改进、改编或变型认为在本发明范围和精神内。

本文所使用的冠词一个(a)、一种(an)和该(所述)包括复数指示，除非另外特意且明确地限于一个指示。

本文所使用的术语“基团”当涉及化学化合物和/或代表性的化学结构/式使用时是指一个或多个原子的排列。

本文所使用的聚合物的分子量值，例如重均分子量(Mw)和数均分子量(Mn)是通过凝胶渗透色谱使用聚苯乙烯标准样品测定的。

本文所使用的多分散指数(PDI)值表示聚合物的重均分子量(Mw)与数均分子量(Mn)之比(即，Mw/Mn)。

当在本文使用时且除非另有说明，聚合物玻璃化转变温度(T_g)值是通过差示扫描量热法根据美国试验和材料协会(ASTM)方法号D3418测定的。

当在本文使用时且除非另有说明，聚合物分解温度(T_d)是通过热重分析以10℃/分钟的加热速率测定的、其中特定重量百分率(wt％)的聚合物经测定已经分解的温度。术语T_d5、T_d50和T_d95指示5wt％、50wt％和95wt％已经分解时的温度。