[发明专利]电路装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种电路装置，特别是涉及在电路基板的上面安装有对大电流进行开关的功率类半导体元件的电路装置。

背景技术

参照图9说明现有类型的混合集成电路装置100的结构。首先，在矩形基板101的表面经由厚度200μm左右的绝缘层102形成有导电图案103，在该导电图案103的所希望的部位上连接电路元件而形成规定电路。在此，固定安装有半导体元件105A和片状元件105B作为电路元件。并且，形成于半导体元件105A上表面的电极经由金属细线114与所希望的导电图案103连接，设置于片状元件105B两端的电极经由焊料固定安装于导电图案。另外，引线104与由形成于基板101周边部的导电图案109构成的焊盘连接，作为外部端子发挥作用。密封部件108具有密封形成于基板101表面的电路的功能。

壳体部件111具有近似画框形状，与基板101的侧面抵接，由此，在基板101的上面形成用于填充密封树脂108的空间。

具有上述结构的混合集成电路装置100的制造方法如下：首先，在上表面被由树脂构成的绝缘层102覆盖的基板101的上面形成具有规定形状的导电图案103。接着，在基板101的上面载置半导体元件105A等电路元件，并电连接规定的导电图案103与半导体元件105A。并且，在形成为焊盘状的导电图案103上固定安装引线104。接着，安装壳体部件111，在由壳体部件111围成的空间内注入液体状或者半固体状的密封树脂108之后进行加热固化，从而树脂密封半导体元件105A和金属细线114。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：（日本）特开2007-036014号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

然而，在具有上述结构的混合集成电路装置100中，经由形成于基板101上面的厚度100μm左右的导电图案103，连接引线104与半导体元件105A。因此，在利用半导体元件105A对数十安培左右的大电流进行开关时，为了确保较大的电流容量，需要增大导电图案103的宽度，这阻碍了混合集成电路装置100的小型化。

本发明鉴于上述问题而提出，本发明的主要目的在于提供一种内置有对大电流进行开关的半导体元件的小型电路装置。

用于解决技术课题的技术方案

本发明的电路装置的特征在于，包括电路基板、在所述电路基板的上面配置的半导体元件、在所述电路基板的上面与所述半导体元件电连接的第一引线以及与所述半导体元件电连接并且至少一部分与所述第一引线重叠配置的第二引线。

发明效果

利用本发明，以与电路基板绝缘的状态将与内置的半导体元件连接的第一引线和第二引线重叠配置。由此，在电路基板的上面，第一引线和第二引线的占有面积变小，从而有助于装置整体的小型化。

并且，安装于电路基板的上面的半导体元件不是与电路基板上的导电图案连接，而是与配置在电路基板的上面的引线直接连接。因此，因为无需在电路基板的上面形成导电图案，所以排除了电路基板与导电图案短路的问题。

附图说明

图1是表示本发明电路装置的视图，（A）是俯视图，（B）是剖面图。

图2是放大表示本发明电路装置中安装有陶瓷基板的部位的剖面图。

图3是放大表示本发明电路装置中安装有构成变换电路的电路元件的部位的俯视图。

图4是放大表示本发明电路装置中安装有构成逆变电路的电路元件的部位的俯视图。

图5（A）表示安装有本发明电路装置的太阳能发电系统的电路图，（B）是其一部分的放大电路图。

图6是表示本发明电路装置制造方法的视图，（A）是俯视图，（B）是剖面图，（C）是放大剖面图。

图7是表示本发明电路装置制造方法的视图，（A）是俯视图，（B）是剖面图，（C）是放大剖面图。

图8是表示本发明电路装置制造方法的视图，（A）—（C）是剖面图。

图9是表示背景技术的电路装置的剖面图。

具体实施方式

参照图1至图4说明作为电路装置一例的混合集成电路装置10的构成。

参照图1，混合集成电路装置10主要包括电路基板12、在电路基板12的上面重叠的两条引线28,30、在电路基板12的上面接近引线28,30配置的晶体管34等电路元件、固定安装于电路基板12的上表面的画框状的壳体部件14及填充于壳体部件14所围成的区域的密封树脂16。