[发明专利]匹配的晶体管对电路

权利要求书

1. 一种用于克服电路部件失配和偏移的电路，包括：

由晶体管形成的化学敏感传感器；

形成在所述化学敏感传感器附近的基底上的行选择晶体管，其中所述行选择晶体管和所述化学敏感传感器为相同尺寸和类型的晶体管；

采样电路，其配置成从所述行选择晶体管获取基准样本且从所述化学敏感传感器通过所述行选择晶体管获取信号样本；以及

差分电路，其确定所述基准样本与所述信号样本之间的差异。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述信号样本是来自于反应的读数，所述反应是通过到所述化学敏感传感器的栅极探测到。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述基准样本在所述行选择晶体管处于饱和区域中时，从所述行选择晶体管获取。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述信号样本在所述行选择晶体管处于线形区域中时，从所述化学敏感传感器通过所述行选择晶体管获取。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述信号样本在所述化学敏感传感器处于饱和区域中时，从所述化学敏感传感器获取。

6.一种对电路失配作校正的电路，包括：

具有像素阵列的半导体基底，所述像素阵列具有形成在传感器晶体管附近的选择晶体管，其中所述选择和信号晶体管形成为除传感器部分外与所述传感器晶体管相同；

读电路，其配置成在处于饱和模式时从所述选择晶体管获取基准样本而从所述第二晶体管获取信号读数，其中所述信号读数被通过所述第一晶体管获取；以及

差分电路，其从所述信号读数减去基准读数而得到差分信号。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述像素阵列中的相应像素布置成通过所述选择晶体管对所述传感器晶体管采样。

8.一种布置成行和列的像素阵列，具有对电路失配作校正的采样电路，包括：

具有多个像素的半导体基底，其具有形成在第二晶体管附近的第一晶体管；

读电路，其配置成从所述第一晶体管获取基准读数且从所述第二晶体管获取信号读数，其中所述信号读数被通过所述第一晶体管获取；以及差分电路，其从所述信号读数减去所述基准读数。

9.根据权利要求8所述的阵列，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管为相同大小和类型的晶体管。

10.一种具有噪音和晶体管失配校正电路的传感器阵列，包括：

布置成行和列的像素阵列，其中所述像素按行选择且经由列读出；

所述像素中的每一个内的化学敏感传感器和选择晶体管布置成使得一旦通过到所述选择晶体管的行选择信号来选择所述像素，则用于所述像素中的每一个的传感器的输出通过所述选择晶体管；

列采样电路，其配置成用以对所述像素进行采样，所述像素为所述列选择，以及列锁存器电路，其配置成生成用以保持与每一个列相关联的所述像素的样本的信号，所述列采样电路和所述列锁存器电路中的每一个均配置成置于复位状态和采样/锁存状态中；

读出控制电路，其配置成使所述复位电路使所述列采样电路和所述列锁存器电路在第一预定时间段期间复位，在第二预定时间段期间使所述选择晶体管进入到所述饱和区域中，在处于饱和区域中时获取所述选择晶体管的第一样本，在第三时间段期间使所述选择晶体管进入到所述线性区域中，在所述第三时间段期间，所述选择晶体管选择为通过所述选择晶体管读所述化学敏感传感器的第二样本；以及差分电路，其形成所述第一样本与所述第二样本之间的差异。

11.根据权利要求10所述的传感器阵列，其特征在于，所述化学敏感传感器形成在基底上的所述选择晶体管附近，以及所述行选择晶体管和所述化学敏感传感器为相同大小和类型的晶体管。

12.一种用于克服电路部件的失配和偏移的电路，包括：

单晶体管化学敏感像素；

形成在所述化学敏感像素附近的基底上的特性晶体管，其中所述特性晶体管提供表征所述单个化学敏感像素的偏移的信号样本；

采样电路，其配置成从所述特性晶体管获取基准样本且从所述化学敏感像素获取信号样本；以及

差分电路，其确定所述基准样本与所述信号样本之间的差异。