[发明专利]低轮廓微电子封装及其制造方法以及包含该低轮廓微电子封装的电子组件无效

专利信息
申请号: 201180058267.0 申请日: 2011-11-18
公开(公告)号: CN103250244A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: M·J·马努沙罗;R·纳拉 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/28
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;夏青
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 轮廓 微电子 封装 及其 制造 方法 以及 包含 电子 组件
【权利要求书】:

1.一种低轮廓微电子封装,包括:

微电子管芯,其具有第一表面和相对的第二表面;

封装衬底,围绕所述微电子管芯的至少一部分构造所述封装衬底,所述封装衬底包括:

电绝缘层,其形成所述封装衬底的第一侧面,所述电绝缘层具有形成于其中的多个焊盘,其中,所述微电子管芯的所述第一表面位于所述封装衬底的所述第一侧面;

导电层,其电连接到所述微电子管芯;以及

所述导电层上方的保护层,所述保护层形成所述封装衬底的第二侧面;以及

导电互连结构的阵列,其位于所述封装衬底的所述第一侧面,其中所述导电互连结构的阵列中的每一单个互连结构都具有第一端部和相对的第二端部,并且其中所述第一端部连接到所述多个焊盘中的一个焊盘。

2.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装,其中:

所述导电互连结构的所述第二端部定义了位于与所述焊盘相距第一距离处的平面;

所述管芯的所述第一表面位于与所述焊盘相距第二距离处;并且

所述第二距离小于所述第一距离。

3.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装,其中:

所述导电互连结构是BGA球或SGA球。

4.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装,进一步包括:

在所述保护层中露出的层叠封装焊盘。

5.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装,其中:

所述焊盘定义了所述电绝缘层内的平面;

所述导电互连结构的阵列位于所述平面的第一侧面上,并且所述保护层位于所述平面的第二侧面上;并且

所述微电子管芯的所述第一表面位于所述平面的所述第一侧面上。

6.根据权利要求5所述的低轮廓微电子封装,其中:

所述微电子管芯的所述第二表面也位于所述平面的所述第一侧面上。

7.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装,其中:

所述焊盘定义了所述电绝缘层内的平面;

所述导电互连结构的阵列位于所述平面的第一侧面上,并且所述保护层位于所述平面的第二侧面上;并且

所述微电子管芯的所述第一表面位于所述平面的所述第二侧面上。

8.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装,其中:

所述导电互连结构的所述第二端部定义了位于与所述焊盘相距第一距离处的平面;

所述管芯的所述第一表面位于与所述焊盘相距第二距离处;并且

所述第二距离大于所述第一距离。

9.一种电子组件,包括:

低轮廓微电子封装,其包括:

微电子管芯,其具有第一表面和相对的第二表面;

封装衬底,围绕所述微电子管芯的至少一部分构造所述封装衬底,所述封装衬底包括:

电绝缘层,其形成所述封装衬底的第一侧面,所述电绝缘层具有形成于其中的多个焊盘,其中,所述管芯的所述第一表面位于所述封装衬底的所述第一侧面;

导电层,其电连接到所述微电子管芯并且至少部分位于所述电绝缘层内;以及

所述导电层上方的保护层,所述保护层形成所述封装衬底的第二侧面;以及

导电互连结构的阵列,其位于所述封装衬底的所述第一侧面,其中所述导电互连结构的阵列中的每一单个互连结构都具有第一端部和相对的第二端部,并且其中所述第一端部连接到所述多个焊盘中的一个焊盘;以及

板,其使用所述导电互连结构的阵列而连接到所述低轮廓微电子封装。

10.根据权利要求9所述的电子组件,其中:

在所述板中具有开口;

所述板定义了所述电子组件的下平面,所述电绝缘层中的多个焊盘定义了所述电子组件的上平面;

所述下平面具有第一侧面和相对的第二侧面,所述上平面位于所述下平面的所述第二侧面上;

所述微电子管芯的所述第一表面位于所述下平面的所述第一侧面上,使得所述微电子管芯通过所述板中的所述开口突出。

11.根据权利要求10所述的电子组件,进一步包括:

冷却器件,其附着到所述低轮廓微电子封装,使得所述冷却器件与所述微电子管芯的所述第一侧面相邻。

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