[发明专利]微波回转窑

权利要求书

1.一种装置，包括：

微波源，其中所述源发射约300Mhz至约300Ghz的频率范围内的微波能量；

至少一个微波腔体，所述微波腔体包括固定输入部分、固定输出部分以及所述输入部分和所述输出部分之间的回转处理部分；以及

波导，所述波导从所述源发出微波能量并将微波能量引入所述输入部分和所述输出部分中的至少一个。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述输入部分和所述输出部分包括样品端口，其中所述样品端口的长度等于从所述微波源发射的能量的波长的四分之一。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述回转腔体包括辅助耦合件，其中所述辅助耦合件包含微波吸收材料。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：

附接于所述固定输入部分的第一支承件和附接于所述第一支承件的第二支承件，其中所述第二支承件包括接纳所述回转处理部分的第一端部的承载，其中所述第一支承件和所述第二支承件之间的距离小到足以防止微波能量泄漏；

附接于所述固定输出部分的第三支承件和附接于所述第三支承件的第四支承件，其中所述第四支承件包括接纳所述回转处理部分的第二端部的承载，其中所述第三支承件和所述第四支承件之间的距离小到足以防止微波能量的泄漏。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，还包括与所述回转处理部分的所述第一端部相邻的第一轴承座圈和与所述回转处理部分的所述第二端部相邻的第二轴承座圈，其中所述第一和所述第二轴承座圈由中央支承件支承，其中所述轴承座圈围绕所述回转处理部分的外部主体55的周边延伸。

6.如权利要求4所述的装置，其特征在于，还包括屏蔽网，所述屏蔽网围绕所述第一和第二支承件或所述第三和第四支承件中的至少一个的周边。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括连接到所述固定输入腔体的第一圆筒构件和连接到所述固定输出腔体的第二圆筒构件，其中所述第一圆筒构件在所述回转处理部分的第一端部上延伸，并且所述第二圆筒构件在所述回转处理部分的第二端部上延伸，并且其中所述圆筒构件的尺寸被确定为防止微波从所述微波腔体泄漏。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第一和第二圆筒构件可滑动地缩回到所述固定输入/输出部分。

9.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述圆筒构件包含导电材料。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述导电材料是选自钢、铝和铜的金属。

11.如权利要求7所述的装置，其特征在于，还包括在所述第一和第二圆筒构件中的至少一个与所述回转处理部分之间的电导体。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述导体包括圆筒构件的内表面上的刷、销和凹痕表面中的至少一个。

13.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述回转腔体包括：

主体；

微波吸收层；

所述微波吸收层和所述主体之间的保温层；以及

所述保温层内的所述微波吸收层。

14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述保温层包含非微波吸收材料。

15.如权利要求14所述的装置，其特征在于，所述非微波吸收材料选自Al2O3、SiO2、莫来石、堇青石和复合材料以及它们的组合构成的组群。

16.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述微波吸收层包含半导电材料、离子导电材料、展现出磁性能的材料、双极型材料、复合材料以及它们的组合中的至少一个。

17.根据权利要求16所述的装置，其特征在于，所述材料选自SiC、部分稳定的氧化锆、磁铁矿、沸石、β氧化铝、复合材料以及它们的组合构成的组群。

18.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述微波吸收层由棒、圆柱、管、砖、板、盘或块布置构成。

19.如权利要求13所述的装置，其特征在于，还包括所述微波吸收层上的保护层。

20.如权利要求19所述的装置，其特征在于，所述保护层包含陶瓷材料。