[发明专利]劣化剖析方法

权利要求书

1.一种劣化剖析方法，该方法向高分子材料照射高亮度X射线，在改变X射线能量的同时测定X射线吸收量，由此剖析高分子的劣化状态。

2.如权利要求1所述的劣化剖析方法，其中，作为高分子材料，使用含有1种以上的二烯系橡胶的橡胶材料或者上述橡胶材料与1种以上的树脂复合而成的复合材料。

3.如权利要求1或2所述的劣化剖析方法，其中，高亮度X射线的光子数在10⁷光子/s以上，亮度在10¹⁰光子/s/mrad²/mm²/0.1％bw以上。

4.如权利要求1～3中任意一项所述的劣化剖析方法，其中，使用高亮度X射线进行扫描的能量范围在4000eV以下。

5.如权利要求1～4中任意一项所述的劣化剖析方法，其中，基于将高亮度X射线的能量在260～400eV范围对碳原子K壳层吸收端的必要范围进行扫描而得到的X射线吸收光谱，由下述式1计算归一化常数α及β，对用该归一化常数α及β校正的碳原子K壳层吸收端的X射线吸收光谱进行波形分离，用得到的285eV附近归属于π^*跃迁的峰面积，由下述式2求得劣化程度，

式1

[劣化前试料测定范围的X射线吸收光谱的总面积]×α＝1

[劣化后试料测定范围的X射线吸收光谱的总面积]×β＝1

式2

[1-[(劣化后π^*的峰面积)×β]/[(劣化前π^*的峰面积)×α]]×100＝劣化程度(％)。

6.如权利要求5所述的劣化剖析方法，其中，使用峰强度代替峰面积。

7.如权利要求1～4中任意一项所述的劣化剖析方法，其中，对在500～600eV范围扫描高亮度X射线的能量而得到的氧原子K壳层吸收端的X射线吸收光谱进行波形分离，将峰顶能量在532～532.7eV范围的低能量侧的峰计作氧劣化，在532.7～534eV范围的高能量侧的峰计作臭氧劣化，由下述式3计算氧劣化与臭氧劣化的贡献率，

式3

[氧化劣化的峰面积]/[(臭氧劣化的峰面积)+(氧化劣化的峰面积)]×100＝氧劣化贡献率(％)

[臭氧劣化的峰面积]/[(臭氧劣化的峰面积)+(氧化劣化的峰面积)]×100＝臭氧劣化贡献率(％)。

8.如权利要求7所述的劣化剖析方法，其中，使用峰强度代替峰面积。

9.如权利要求1～4中任意一项所述的劣化剖析方法，其中，基于劣化后的碳原子K壳层吸收端的X射线吸收光谱，由下述式4求得归一化常数γ，用该归一化常数γ校正氧原子K壳层吸收端的总峰面积，由此求得氧及臭氧在高分子材料上的结合量(指数)，

式4

[碳原子K壳层吸收端的X射线吸收光谱的总面积]×γ＝1

[氧原子K壳层吸收端的峰面积]×γ＝氧及臭氧的结合量。