[发明专利]在自旋转移力矩存储器设备中的写电流的降低

权利要求书

1.一种磁性隧道结，包括：

自由磁层；

固定磁层；以及

隧道势垒层，设置在所述自由磁层与所述固定磁层之间；

其中，所述固定磁层具有比所述自由磁层的表面面积小的表面面积。

2.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中，所述固定磁层的形状被限定为使所述自由磁层内的电流密度集中。

3.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中，所述固定磁层被安置为使所述自由磁层内的电流密度集中。

4.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中，所述自由磁层基本上是椭圆形的并具有长度和宽度，并且其中，所述固定磁层作为邻接所述自由磁层的带状条沿着所述自由磁层的长度延伸。

5.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中，所述自由磁层基本上是椭圆形的并具有长度和宽度，并且其中，所述固定磁层作为邻接所述自由磁层的带状条沿着所述自由磁层的宽度延伸。

6.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中，所述自由磁层基本上是椭圆形的并具有外围，并且其中，所述固定磁层作为围绕所述自由磁层的外围的环邻接所述自由磁层。

7.根据权利要求1所述的磁性隧道结，其中，所述自由磁层基本上是椭圆形的并具有外围，并且其中，所述固定磁层基本上是圆形的。

8.一种自旋转移力矩元件，包括：

自由磁层电极；

自由磁层，邻接所述自由磁层电极；

固定磁层；

隧道势垒层，设置在所述自由磁层与所述固定磁层之间；以及

固定磁层电极，邻接所述固定磁层；

其中，所述固定磁层和所述固定磁层电极具有类似的表面面积，所述类似的表面面积比所述自由磁层的表面面积小。

9.根据权利要求8所述的自旋转移力矩元件，其中，所述固定磁层和所述固定磁层电极的形状被限定为使所述自由磁层内的电流密度集中。

10.根据权利要求8所述的自旋转移力矩元件，其中，所述固定磁层和所述固定磁层电极被安置为使所述自由磁层内的电流密度集中。

11.根据权利要求8所述的自旋转移力矩元件，其中，所述自由磁层基本上是椭圆形的并具有长度和宽度，并且其中，所述自由磁层和所述自由磁层电极作为邻接所述自由磁层的带状条沿着所述自由磁层的长度延伸。

12.根据权利要求8所述的自旋转移力矩元件，其中，所述自由磁层基本上是椭圆形的并具有长度和宽度，并且其中，所述自由磁层和所述自由磁层电极作为邻接所述自由磁层的带状条沿着所述自由磁层的宽度延伸。

13.根据权利要求8所述的自旋转移力矩元件，其中，所述自由磁层基本上是椭圆形的并具有外围，并且其中，所述固定磁层和所述固定磁层电极作为围绕所述自由磁层的外围的环邻接所述自由磁层。

14.根据权利要求8所述的自旋转移力矩元件，其中，所述自由磁层基本上是椭圆形的并具有外围，并且其中，所述固定磁层和所述固定磁层电极基本上是圆形的。

15.一种非易失性存储器设备，包括：

固定磁层电极，电连接至位线；

固定磁层，邻接所述固定磁层电极；

自由磁层电极，邻接自由磁层，其中所述自由磁层和所述自由磁层电极具有比所述自由磁层的表面面积小的表面面积；

隧道势垒层，设置在所述固定磁层与所述自由磁层之间；以及

晶体管，电连接至所述下电极、源极线以及字线。

16.根据权利要求15所述的非易失性存储器设备，其中，所述固定磁层和所述固定磁层电极的形状被限定为使所述自由磁层内的电流密度集中。

17.根据权利要求15所述的非易失性存储器设备，其中，所述固定磁层和所述固定磁层电极被安置为使所述自由磁层内的电流密度集中。