[发明专利]在自旋转移力矩存储器设备中的写电流的降低

说明书

背景技术

本公开内容一般地涉及微电子存储器的制造。所述微电子存储器可以是非易失性的，其中，所述存储器即使在断电时也可以保留所存储的信息。

附图说明

在说明书的结尾部分中特别地指出并清楚地要求保护本公开内容的主题。本公开内容的前述的和其它的特征将从结合附图的下文的描述和所附的权利要求中更充分地显现出来。可以理解的是，附图仅根据本公开内容描绘了几个实施例，并且因此不应被认为限制了其范围。将通过使用附图而以额外的特性和细节来描述本公开内容，从而可以更容易地确定本公开内容的优点，其中：

图1a是示出根据本说明书的实施例的自旋转移力矩存储器位单元的示意图。

图1b是示出根据本说明书的另一个实施例的自旋转移力矩存储器位单元的示意图。

图1c是示出根据本说明书的另一个实施例的自旋转移力矩存储器位单元的示意图。

图2a是示出根据本说明书的实施例的具有磁场定向与固定磁层反向平行的自由磁层的磁性隧道结的侧面示意图。

图2b是示出根据本说明书的实施例的具有磁场定向与固定磁层平行的自由磁层的磁性隧道结的侧面示意图。

图3a示出沿着图1a-1c中的任意一个的线3-3的平面图，其中，如本领域公知的，自由磁层电极基本上覆盖磁层。

图3b示出沿着图1a-1c中的任意一个的线3-3的平面图，其中，根据本说明书的实施例，自由磁层电极包括在磁层的长度上延伸的带状条（stripe）。

图3c示出沿着图1a-1c中的任意一个的线3-3的平面图，其中，根据本说明书的实施例，自由磁层电极包括与磁层的外围邻接的环。

图3d示出沿着图1a-1c中的任意一个的线3-3的平面图，其中，根据本说明书的实施例，自由磁层电极包括在磁层的宽度上延伸的带状条。

图3e示出沿着图1a-1c中的任意一个的线3-3的平面图，其中，根据本说明书的实施例，自由磁层电极包括磁层附近的圆。

图3f示出沿着图1a-1c中的任意一个的线3-3的平面图，其中，根据本说明书的实施例，自由磁层电极包括从磁层的中心偏移一定距离的圆。

图4是根据本说明书的实施例的切换电流相对于在每个图3b、3c和3d的实施例中的变化的参数的曲线图。

图5示出根据本说明书的实施例的便携式电子设备的实施例。

图6示出根据本说明书的实施例的计算机系统的实施例。

图7是根据本说明书的实施例的电子系统的框图。

图8是根据本说明书的实施例的另一个电子系统的框图。

具体实施方式

在以下的具体实施方式中，参考了通过图示示出具体的实施例的附图，在所述具体的实施例中可以实践所要求保护的主题。对这些实施例进行充分详细的描述以使本领域技术人员能够实践该主题。可以理解的是，各个实施例虽然不同，但也未必相互排斥。例如，在不脱离所要求保护的主题的精神和范围的情况下，本文中结合一个实施例描述的特定的特征、结构或特性可以在其它实施例中实施。此外，可以理解的是，在不脱离所要求保护的主题的精神和范围的情况下，可以修改每个所公开的实施例中的单独的元件的位置或布置。所以，不应将下文的详细说明理解为具有限制意义，并且所述主题的范围仅由适当解释的所附权利要求以及所附权利要求被赋予的等同形式的全部范围限定。在附图中，相似的附图标记指的是在多个视图中的相同或类似的元件或功能，并且其中描绘的元件未必彼此成比例，相反，可以放大或缩小单独的元件，以便更容易在本说明书的上下文中理解所述元件。

本说明书的实施例涉及用于非易失性微电子存储器设备的自旋转移力矩存储器元件的制造。所述自旋转移力矩存储器元件可以包括具有大小和/或形状被具体限定的固定磁层的磁性隧道结，所述固定磁层可以安置在邻接（adjacent）自由磁层的具体位置，限定了形状的固定磁层可以使自由磁层中的电流集中，这可以带来在自旋转移力矩存储器元件中切换位单元所需的临界电流的降低。