[发明专利]用于芯片的电源/接地布局

权利要求书

1.一种制造芯片的方法，所述方法包括：

在第一半导体管芯之上形成基部金属层；

形成与所述基部金属层隔开的第一金属层；

在所述第一金属层中创建多个岛部，以在所述芯片中路由(i)接地信号或(ii)电源信号中的至少一个；

形成与所述第一金属层隔开的第二金属层；以及

在所述第二金属层中创建多个岛部，以在所述芯片中路由(i)所述接地信号或(ii)所述电源信号中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的方法，其中(i)所述第一金属层至少包括下述之一：铜(Cu)、铝(Al)、铝-硅合金、铝-铜合金或镍(Ni)，并且(ii)所述第二金属层至少包括下述之一：铜(Cu)、铝(Al)、铝-硅合金、铝-铜合金或镍(Ni)。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括在(i)所述第一金属层和(ii)所述第二金属层中的至少一个内限定开口，以提供应力消除。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第二金属层中提供一个或多个焊盘，以在所述芯片和一个或多个外部器件之间传输信号。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括提供电通路，以经由所述第一金属层中的所述多个岛部将所述电源信号从所述第二金属层连接至所述基部金属层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括提供电通路，以经由所述第二金属层中的所述多个岛部将所述接地信号从所述第一金属层连接至堆叠的管芯。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将所述芯片定位在封装的引线框上；以及

将第二半导体管芯堆叠在所述芯片的顶部。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第二金属层之上形成钝化层；

在所述钝化层中创建一个或多个开口，以暴露所述第二金属层中的接触点；以及

将第二半导体管芯堆叠在所述钝化层中的所述一个或多个开口处，从而将所述第二管芯电耦合至所述芯片。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二半导体管芯通过焊接块电耦合至所述第二金属层。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二半导体管芯通过铜柱和焊接块电耦合至所述第二金属层。

11.一种芯片，包括：

形成在第一半导体管芯之上的基部金属层；

与所述基部金属层隔开的第一金属层，所述第一金属层具有多个岛部，所述多个岛部被配置为在所述芯片中路由(i)接地信号或(ii)电源信号中的至少一个；以及

与所述第一金属层隔开的第二金属层，所述第二金属层具有多个岛部，所述多个岛部被配置为在所述芯片中路由(i)所述接地信号或(ii)所述电源信号中的至少一个。

12.根据权利要求11所述的芯片，其中(i)所述第一金属层至少包括下述之一：铜(Cu)、镍、铝(Al)、铝-硅合金或铝-铜合金，并且(ii)所述第二金属层至少包括下述之一：铜(Cu)、镍、铝(Al)、铝-硅合金或铝-铜合金。

13.根据权利要求11所述的芯片，其中(i)所述第一金属层和(ii)所述第二金属层中的至少一个包括限定在其中的开口，以提供应力消除。

14.根据权利要求11所述的芯片，其中所述第一金属层中的所述多个岛部被配置为与所述第二金属层中的所述多个岛部对齐。

15.根据权利要求11所述的芯片，其中所述第一金属层被配置为在所述第一金属层的中心位置形成多个开口。

16.根据权利要求11所述的芯片，其中所述第一金属层中的所述多个岛部被配置为提供电通路，以将所述电源信号从所述第二金属层连接至所述基部金属层。

17.根据权利要求11所述的芯片，其中所述第二金属层中的所述多个岛部被配置为提供电通路，以将所述接地信号从所述第一金属层连接至堆叠在所述芯片的顶部的第二半导体管芯。

18.根据权利要求11所述的芯片，其中：

所述第一金属层是接地平面，并且

所述第二金属层是电源平面。