[发明专利]用于芯片的电源/接地布局

说明书

相关申请的交叉引用

本公开要求2011年10月19日提交的美国专利申请13/277,140的优先权，该美国专利申请要求2010年10月20日提交的美国临时专利申请61/405,099的优先权，出于所有目的，除了与本说明书不一致的那些段落(如果有的话)，前述两件申请的整个说明书通过引用的方式全部合并于此。

技术领域

本发明的实施例涉及芯片封装领域，并且更具体地，涉及利用引线键合封装的电源/接地布局。

背景技术

随着社会变得更加具有移动性，更小的电子设备逐渐流行。更小的电子设备的流行产生了对提供高性能和良好可靠性的小而轻的器件的需求。为了帮助满足该需求，要减小电子封装组件(用于这样的更小的电子设备中)中的半导体管芯或芯片的尺寸大小。然而，减小的尺寸大小对电子封装组件中的半导体管芯或芯片的电源信号和/或接地信号的传统路由配置提出了挑战。

此外，另一挑战是要增加输入/输出(I/O)功能，以适应在这样的更小的电子设备中使用的先进技术。该先进技术依赖于I/O功能的增加，以避免跨过半导体管芯或芯片中的接触器或连接件的电压的下降。然而另一挑战是，在针对这些挑战提供解决方案的同时，要将半导体管芯或芯片的生产制造成本保持相对较低。此外，倒装芯片封装布置可能是昂贵的。利用引线键合技术可以帮助降低各种封装结构的成本。

发明内容

本发明提供一种制造芯片的方法。该方法包括在第一半导体管芯之上形成基部金属层，在基部金属层之上形成第一金属层，以及在第一金属层中创建多个岛部，以在芯片中路由(i)接地信号或(ii)电源信号中的至少一个。该方法还包括在第一金属层之上形成第二金属层，在第二金属层中创建多个岛部，以在芯片中路由(i)接地信号或(ii)电源信号中的至少一个。

本发明还提供一种芯片，该芯片包括形成在第一半导体管芯之上的基部金属层以及形成在基部金属层之上的第一金属层。第一金属层包括多个岛部，该岛部被配置为在芯片中路由(i)接地信号或(ii)电源信号中的至少一个。该芯片还包括形成在第一金属层之上的第二金属层。第二金属层包括多个岛部，该岛部被配置为在芯片中路由(i)接地信号或(ii)电源信号中的至少一个。

附图说明

通过下文的详细描述并结合附图，将很容易理解本发明的实施例。为便于描述，同样的参考标号表示相同的结构元件。此处，在附图中以示例的方式而不是限定的方式描述了实施例。

图1A至图1G示出了用于制造芯片的电源/接地布局的各个阶段的横截面侧视图。

图2示出了图1A至图1G的芯片的俯视图。

图3示出了包括图1A至图1G的芯片的电子封装组件的横截面侧视图。

图4示出了图1A至图1G的芯片的横截面侧视图，另一管芯堆叠在该芯片的顶部上。

图5示出了图1A至图1G的芯片的另一布置的横截面侧视图，另一管芯堆叠在该芯片的顶部上。

图6示出了制造图1A至图1G的芯片的电源/接地布局的方法的工艺流程图。

具体实施方式

很多电子设备(例如蜂窝电话、计算机、收音机、常见的家用电器等)均含有集成电路或芯片。芯片包括由半导体材料制成的半导体管芯，电子电路实现在该半导体管芯中。芯片还包括容纳半导体管芯，并且包括多种材料的封装，以提供芯片与外部电子元器件的电互连。例如，引线键合是本公开中的工艺，其提供针对芯片的电连接。

图1A至图1G示出用于制造芯片100的电源/接地布局的各个阶段的横截面侧视图。图1A示出了形成在半导体管芯104之上的基部金属层102。基部金属层102例如可以包括铝(Al)、铝-铜合金、铜(Cu)或镍(Ni)。半导体管芯104例如包括硅(Si)、硅锗(SiGe)、锗(Ge)、镓砷(GaAs)等。在一些实施例中，基部金属层102可以通过例如电沉积、蒸发或溅射工艺来沉积。在另一实施例中，基部金属层102可以是经化学平面化和机械平面化的。本领域技术人员熟悉这些工艺，并且因此在此将不描述这些工艺。

在一个实施例中，基部金属层102提供用于芯片100(并且更具体地是半导体管芯104)的输入/输出(I/O)功能。基部金属层102还用作芯片100的重分布层(RDL)。因此，基部金属层102配置有多条迹线和线以传导电信号。基部金属层102和半导体管芯104彼此电连接，使得电信号可以在它们之间通过。