[发明专利]电介质陶瓷及具备其的电介质滤波器有效
申请号: | 201180061333.X | 申请日: | 2011-12-22 |
公开(公告)号: | CN103269999A | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 小松刚士;丰田谕史;竹之下英博 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | C04B35/462 | 分类号: | C04B35/462;C04B35/48;H01B3/12;H01P7/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电介质 陶瓷 具备 滤波器 | ||
1.一种电介质陶瓷,其特征在于,将主成分的组成式表示为αZrO2·βSnO2·γTiO2时,摩尔比α、β及γ满足下述式,并且相对于所述主成分100质量%含有以MnO2换算为0.01质量%以上且低于0.1质量%的Mn,
0.240≤α≤0.470
0.040≤β≤0.200
0.400≤γ≤0.650
α+β+γ=1。
2.根据权利要求1所述的电介质陶瓷,其特征在于,所述组成式的摩尔比α、β、γ满足下述式,并且相对于所述主成分100质量%含有以MnO2换算为0.02质量%以上且0.07质量%以下的Mn,
0.300≤α≤0.440
0.080≤β≤0.150
0.420≤γ≤0.600
α+β+γ=1。
3.根据权利要求1或2所述的电介质陶瓷,其特征在于,由含有Mn、Zr、Ti的氧化物形成的化合物存在于晶界中。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的电介质陶瓷,其特征在于,含有Si、Nb、Zn及Cu的氧化物,并且分别换算成SiO2、Nb2O5、ZnO及CuO后的总含量相对于所述主成分100质量%为0.3质量%以下且不包括0质量%。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的电介质陶瓷,其特征在于,瓷器密度为5.16g/cm3以上。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的电介质陶瓷,其特征在于,相对于所述主成分100质量%含有以P2O5换算为0.7质量%以下且不包括0质量%的P。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的电介质陶瓷,其特征在于,含有Mo、Y及Bi的氧化物中的至少任一种,并且分别换算成MoO3、Y2O3及Bi2O3后的总含量相对于所述主成分100质量%为0.1质量%以下且不包括0质量%。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的电介质陶瓷,其特征在于,包含Ti0.8Sn0.2O2的晶相。
9.一种电介质滤波器,其特征在于,具备:权利要求1~8中任一项所述的电介质陶瓷、与该电介质陶瓷电磁场耦合并从外部输入电信号的输入端子、和与所述电介质陶瓷电磁场耦合并选择性输出与所述电介质陶瓷的共振频率对应的电信号的输出端子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社,未经京瓷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180061333.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:适于喷播绿化的耐冲蚀基质
- 下一篇:一种多目标微变测量数据处理系统及方法