[发明专利]电介质陶瓷及具备其的电介质滤波器

说明书

技术领域

本发明涉及电介质陶瓷及具备该电介质陶瓷的电介质滤波器，尤其涉及在手机的中继基站(relay base station)、BS天线中使用的电介质陶瓷及具备该电介质陶瓷的电介质滤波器。

背景技术

在手机的中继基站、BS天线等中组装有具备电介质陶瓷的电介质滤波器。作为该电介质陶瓷所要求的介电特性，由于电介质滤波器所要求的特性不同，因而电介质陶瓷所要求的相对介电常数εr各不相同，对于各自的相对介电常数εr，要求Qf值(利用圆柱谐振器法(国际标准IEC61338-1-3(1999))在3.5～4.5GHz的频率下测定，根据对微波电介质而言通常成立的(Q值)×(测定频率f)＝恒定值的关系换算成1GHz下的值而得到的值)高、表示共振频率相对于温度的变化的温度系数τf的绝对值小。

作为这样的电介质陶瓷，例如在专利文献1中提出了一种微波电介质瓷器组合物，其以(Zr_1-XSn_X)TiO₄(其中0.1≤X≤0.3)所示的组成作为主成分，在该主成分中添加并含有相对于100重量份上述(Zr_1-XSn_X)TiO₄为0.1～1.0重量份的MnO₂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平6-215626号公报

发明内容

发明要解决的问题

据专利文献1记载，MnO₂的添加量低于0.1重量份时，烧结性不充分，相对介电常数εr降低，并表明：通过添加0.1～1.0重量份的MnO₂，可以使介电特性优异。

但是，现今的电介质陶瓷要求介电特性进一步提高，特别是要求在广范围的温度区域内共振频率的变化少。

本发明是为了解决上述问题而做出的发明，其目的在于，提供一种电介质陶瓷及具备其的电介质滤波器，上述电介质陶瓷的相对介电常数εr在35～45的范围内，Qf值高，且表示在遍及低温区域～高温区域的广范围温度区域中的共振频率变化的温度系数τf的绝对值小。

用于解决问题的手段

本发明人等对电介质陶瓷的组成进行了各种研讨，结果发现，通过形成规定了Zr、Sn及Ti的摩尔比、并且含有在专利文献1中记载为使烧结性不充分的量的MnO₂的烧结体，能够进一步提高介电特性。

本发明的电介质陶瓷，其特征在于，将主成分的组成式表示为αZrO₂·βSnO₂·γTiO₂时，摩尔比α、β及γ满足0.240≤α≤0.470、0.040≤β≤0.200、0.400≤γ≤0.650、α+β+γ＝1，并且相对于上述主成分100质量％含有以MnO₂换算为0.01质量％以上且低于0.1质量％的Mn。

另外，本发明的电介质滤波器，其特征在于，具备：上述构成的电介质陶瓷、与该电介质陶瓷电磁场耦合并从外部输入电信号的输入端子、和与上述电介质陶瓷电磁场耦合并选择性输出与上述电介质陶瓷的共振频率对应的电信号的输出端子。

发明效果

根据本发明的电介质陶瓷，能够得到相对介电常数εr为35～45、Qf值高、即使在气温差大的场所共振频率的变化也小、介电特性优异的电介质陶瓷。

根据本发明的电介质滤波器，由于相对介电常数εr为35～45，Qf值高，即使在气温差大的场所共振频率的变化也小，因此能够得到能长时间稳定地维持良好性能的、可靠性高的电介质滤波器。

附图说明

图1是表示本实施方式的电介质滤波器的一例的剖面图。

具体实施方式

以下，对本实施方式的电介质陶瓷的一例进行说明。

本实施方式的电介质陶瓷，其特征在于，将主成分的组成式表示为αZrO₂·βSnO₂·γTiO₂时，摩尔比α、β及γ满足0.240≤α≤0.470、0.040≤β≤0.200、0.400≤γ≤0.650、α+β+γ＝1，并且相对于该主成分100质量％含有以MnO₂换算为0.01质量％以上且低于0.1质量％的Mn。