[发明专利]可光固化的切割芯片粘合带

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年12月20日提交的美国临时专利申请No.61/424,860的权益，其内容通过引用全部引入本文。

发明背景

本发明涉及一种涂布于用于制造半导体器件的聚烯烃基膜上的光可固化压敏粘合剂。

半导体晶圆(例如由硅或砷化镓制得的晶圆)最初以比用于各个半导体的尺寸大的尺寸制造。通常通过磨削使晶圆变薄，并将其切割成小的各个半导体芯片，然后将所述半导体芯片转移并粘附至所需基板上。为了在此操作期间支撑该晶圆，并简化将芯片粘附至所需基板的工艺，将该晶圆粘附至具有芯片结合粘合剂层及压敏粘合剂层的支撑胶带，其中该压敏粘合剂层位于该粘附层与该支撑胶带之间。

在该制造操作后，通过UV照射使该压敏粘合剂层固化及硬化，以使其从用于粘结芯片的粘附层脱离。在此操作中，重要的是控制压敏粘合剂的粘着力，以使其在光固化前紧密粘附并且在光固化后完全地且容易地脱离。对于后续制造步骤而言，固化后的完全脱落能力尤其重要。常规的UV可固化压敏粘合剂通常无法实现完全分离，因此需要具有改善的脱离性能的用于半导体制造的粘合剂。

发明内容

本发明提供一种压敏粘合剂组合物，其包含(A)具有侧链碳-碳不饱和性的压敏粘合剂聚合物及(B)用碳-碳不饱和性封端的疏水聚合物。在一个具体实施方式中，该疏水聚合物是乙烯基封端的硅氧烷聚合物和/或乙烯基封端的氟聚合物。在另一具体实施方式中，该压敏粘合剂进一步包含多异氰酸酯，其量有效地使该组合物部分交联。

硅氧烷聚合物和氟聚合物的高疏水性降低该压敏粘合剂与粘附体之间的相互作用且对固化后的压敏粘合剂提供优异的脱离。在该疏水聚合物的所有末端上存在的不饱和性确保疏水组分(B)与含侧链碳-碳不饱和性的压敏粘合剂聚合物(A)反应。如果该疏水聚合物链只有一个末端是不饱和性的，则任何未反应的疏水聚合物迁移至粘附体(基板)表面并引起污染的可能性增加。

在一个具体实施方式中，具有侧链碳-碳不饱和性的压敏粘合剂聚合物(A)是具有聚烯系主链及至少一个侧链丙烯酰基氨基甲酸酯基的聚合物。该侧链的丙烯酰基氨基甲酸酯基在曝露于光化辐射和/或化学引发时起反应。该聚烯系主链是由烯键式不饱和单体的加成聚合所形成的烃链。

发明详述

在一方法中，通过以下步骤来制备本发明的压敏粘合剂聚合物(A)：(1)在足以引发烯键式不饱和基团加成聚合的条件下，使具有烯系不饱和性的异氰酸酯单体单独聚合或与其它烯键式不饱和单体一起进行聚合，由此形成具有聚烯系链及侧链异氰酸酯基的前体聚合物，和(2)使该前体聚合物的聚烯系链的侧链异氰酸基与含丙烯酰基的活性氢化合物反应。此方法及所得的化合物公开于美国专利4,343,919中。

适用于上述反应的异氰酸酯单体是具有异氰酸酯基以及能进行自由基引发的加成聚合的烯键式不饱和基团的单体。代表性的异氰酸酯是α，β-烯键式不饱和羧酸的异氰酸基烷基酯、单亚乙烯基芳基异氰酸酯和单亚乙烯基芳基甲基异氰酸酯。

示例性的异氰酸烷基酯包括甲基丙烯酸2-异氰酸基乙酯、丙烯酸2-异氰酸基乙酯、甲基丙烯酸3-异氰酸基丙酯、甲基丙烯酸1-甲基-2-异氰酸基乙酯和丙烯酸1，1-二甲基-2-异氰酸基乙酯。示例性的单亚乙烯基芳族异氰酸酯和单亚乙烯基芳基甲基异氰酸酯包括苯乙烯异氰酸酯和乙烯基苯甲基异氰酸酯。

适合与该异氰酸酯化合物聚合的烯键式不饱和单体是任何对异氰酸酯基呈惰性的烯键式不饱和单体。示例性的烯键式不饱和单体包括脂族共轭二烯烃(例如，丁二烯和异戊二烯)；单亚乙烯基芳族单体(例如，苯乙烯、α-甲基苯乙烯、(叔丁基)苯乙烯、氯苯乙烯、氰基苯乙烯及溴苯乙烯)；α，β-烯键式不饱和羧酸的烷基酯(例如，甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯)；α，β-烯键式不饱和腈、酐及酰胺(例如，丙烯腈、甲基丙烯腈、马来酸酐、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯酰胺、N-(二甲氨基甲基)丙烯酰胺)；乙烯基酯(例如，乙酸乙烯酯)；乙烯基醚；乙烯基酮；乙烯基及亚乙烯基卤化物。本说明书另外例举了其它烯键式不饱和单体。在一个具体实施方式中，该烯键式不饱和单体选自苯乙烯、丙烯酸丁酯及甲基丙烯酸甲酯。

异氰酸酯单体与其他单体的相对比例并非特别重要，条件为：该前体聚合物上具有至少一个异氰酸酯基，优选至少两个异氰酸酯基。通常存在约10至约50摩尔百分比的异氰酸酯单体及约50至约90摩尔百分比的其它单体(基于总单体计)。