[发明专利]具有含多个垂直嵌入管芯的衬底的多芯片封装以及形成所述封装的工艺

权利要求书

1.一种装置，包括：

衬底，具有管芯侧和与所述管芯侧相对的焊接区侧，所述焊接区侧具有多个触点焊盘；

第一管芯，具有第一有源面和与所述有源面相对的背面；

第二管芯，具有有源面和与所述有源面相对的背面；并且

其中，所述第一管芯和所述第二管芯嵌入到所述衬底中，使得所述第二管芯位于所述第一管芯和所述衬底的所述焊接区侧之间。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一管芯具有第一覆盖区，并且其中所述第二管芯具有第二覆盖区，并且其中所述第一管芯的所述第一覆盖区的至少一部分位于所述第二管芯的所述第二覆盖区内。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一覆盖区大于所述第二覆盖区。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述第二管芯的所述覆盖区完全位于所述第一管芯的所述第一覆盖区内。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一管芯的所述有源面与所述第二管芯的所述有源面朝向所述衬底的所述焊接区侧。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一管芯通过完全嵌入所述衬底内的电连接而连接至所述第二管芯。

7.根据权利要求6所述的装置，其中在所述第一管芯与所述第二管芯之间的所述电连接不包括直径大于150微米的垂直连接。

8.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一管芯通过嵌入所述衬底内的电连接而连接至所述焊接区中的一个。

9.根据权利要求2所述的装置，包括嵌入所述第一管芯与所述第二管芯之间的所述衬底中的布线层。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一管芯嵌入所述衬底的第一绝缘层中，并且所述第二管芯嵌入所述衬底的第二绝缘层中。

11.根据权利要求10所述的装置，进一步包括：

第三绝缘层，设置在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间；以及

第一布线层，包括嵌入所述第三绝缘层内的多条第一迹线，并且其中所述第一互连层的所述第一迹线中的一条第一迹线形成于所述第一管芯与所述第二管芯之间。

12.根据权利要求11所述的装置，进一步包括位于所述第二管芯与所述多个触点焊盘之间的第四绝缘层，其中所述第四绝缘层具有第二布线层，所述第二布线层包括嵌入其中的多条第二迹线。

13.根据权利要求12所述的装置，进一步包括位于所述第二布线层与所述第二管芯之间的所述第四电介质中的第一多个过孔，所述第一多个过孔具有第一直径；以及

第二多个过孔，所述第二多个过孔位于所述第三电介质层与所述第二电介质层中并且在所述第一布线层与所述第二布线层之间，所述第二多个过孔具有第二直径，其中所述第二直径大于所述第一直径。

14.一种形成多芯片封装的方法，包括：

将第一管芯附着至载体；

在所述第一管芯和所述载体之上形成第一绝缘层，使得所述第一管芯嵌入所述第一绝缘层内；

将第二管芯放置到所述第一绝缘层之上；以及

在所述第二管芯上形成第二绝缘层，使得所述第二管芯嵌入所述第二绝缘层内。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括在所述第一管芯与所述第二管芯之间形成布线层。

16.根据权利要求14所述的方法，进一步包括在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间形成第三绝缘层，并且将所述第二管芯附着至所述第三绝缘层。

17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：

在形成所述第三绝缘层之后并且在附着所述第一管芯之前，部分固化所述第三绝缘层，以形成部分固化的第三绝缘层；

将所述第二管芯附着至所述部分固化的第三绝缘层；以及

在附着所述第二管芯后，完全固化所述部分固化的第三绝缘层。

18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括在所述第一绝缘层与所述第三绝缘层之间形成第一布线层，其中所述第三布线层具有与所述第一管芯电接触的第一迹线。

19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括在所述第二绝缘层上形成第二布线层，所述第二绝缘层具有与所述第二管芯和所述第一迹线电接触的第二迹线。

20.一种多芯片封装，包括：

第一管芯，具有与背面相对的有源面；

第一绝缘层，其中所述第一管芯嵌入所述第一绝缘层内；

第一过孔，位于所述第一绝缘层中并且与所述第一管芯的所述有源面电接触；

第一布线层，具有第一导电迹线并且位于所述第一绝缘层上，其中所述第一导电迹线与所述第一过孔接触；

第二绝缘层，位于所述第一布线层和所述第一绝缘层上；

第二管芯，具有与背面相对的有源面，其中所述第二管芯的所述背面在所述第二绝缘层上；

第三绝缘层，位于所述第二管芯的所述有源面和所述第二绝缘层上；

第三导电过孔，位于所述绝缘层中并且与所述第二管芯的所述有源面接触；

第四导电过孔，位于所述第三绝缘层和所述第二绝缘层中，并且与所述第一布线层的所述第一导电迹线接触；

第二布线层，具有第二导电迹线并且位于所述第三绝缘层上，其中所述第二导电迹线与所述第二导电过孔和所述第三导电过孔接触；以及

第四绝缘层，位于所述第三绝缘层和所述第二布线层上。