[发明专利]用于半导体的粘合剂组合物和包含它的粘合剂膜

权利要求书

1.一种用于半导体的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物在65℃与350℃之间具有两个放热峰，

其中，在65℃与185℃之间出现第一放热峰，并在155℃与350℃之间出现第二放热峰，附带条件为所述第二放热峰在比所述第一放热峰更高的温度下出现，且

所述粘合剂组合物具有小于10%的空隙面积比(Vm)，所述空隙面积比在150℃一次循环固化30分钟、然后在175℃模塑60秒后测量。

2.一种用于半导体的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物在125℃固化30分钟后在150℃具有100gf/mm²至1,500gf/mm²的抗压强度，并在150℃一次循环固化30分钟，然后在175℃ EMC模塑60秒后在粘附体上具有小于10%的空隙面积比(Vm)。

3.一种用于半导体的粘合剂组合物，所述粘合剂组合物在125℃固化30分钟后在150℃具有100gf/mm²至1,500gf/mm²的抗压强度，并在150℃一次循环固化30分钟后在粘附体上具有小于15%的空隙面积比(Vc)。

4.根据权利要求1至3所述粘合剂组合物，包含：热塑性树脂、环氧树脂、固化剂和固化促进剂。

5.根据权利要求4所述粘合剂组合物，其中，所述固化剂包含两种不同类型的具有不同的反应温度范围的固化剂。

6.根据权利要求4所述粘合剂组合物，其中，所述固化剂包含酚醛固化剂和胺固化剂。

7.根据权利要求6所述粘合剂组合物，其中，所述酚醛固化剂在主链中包含联苯基。

8.根据权利要求6所述粘合剂组合物，其中，所述酚醛固化剂由通式1表示：

[通式1]

其中，R₁和R₂各自独立地表示C₁至C₆烷基，且n为2至100。

9.根据权利要求6所述粘合剂组合物，其中，所述胺固化剂由通式2表示：

[通式2]

其中，A为单键或表示选自由-CH₂-、-CH₂CH₂-、-SO₂-、-NHCO-、-C(CH₃)₂-和-O-组成的组中的一种，且R₁至R₁₀各自独立地表示氢、C₁至C₄烷基、C₁至C₄烷氧基和胺基；此处，R₁至R₁₀的至少两个包括胺基。

10.如权利要求6所述的粘合剂组合物，其中，所述酚醛固化剂与所述胺固化剂的比例为3∶1至1∶11。

11.如权利要求4所述的粘合剂组合物，其中，所述固化促进剂具有100℃至160℃的熔点。

12.如权利要求4所述的粘合剂组合物，其中，所述固化促进剂包含三聚氰胺催化剂、咪唑催化剂和磷催化剂的至少一种。

13.如权利要求4所述的粘合剂组合物，其中，所述热塑性树脂在全部所述组合物中的含量为30wt%至70wt%（固含量）。

14.如权利要求4所述的粘合剂组合物，其中，所述粘合剂组合物包含15wt%至70wt%的所述热塑性树脂、5wt%至35wt%的所述环氧树脂、0.5wt%至15wt%的所述酚醛固化剂、1wt%至15wt%的所述胺固化剂、0.01wt%至10wt%的所述固化促进剂、0wt%至5wt%的硅烷偶联剂和10wt%至60wt%的填料。

15.如权利要求4所述的粘合剂组合物，其中，所述热塑性树脂的量大于所述环氧树脂和所述固化剂的总量，并且酚醛固化剂和胺固化剂的比例为1:1至1:5。

16.如权利要求4所述的粘合剂组合物，其中，所述热塑性树脂的量小于所述环氧树脂和所述固化剂的总量，并且酚醛固化剂和胺固化剂的比例为1:1至1:5。