[发明专利]不流动底充胶

权利要求书

1. 用于制造微电子组件的方法，包括：

提供第一元器件和第二元器件，所述第一元器件具有第一表面和在所述第一表面上突出的第一导电元件，所述第二元器件具有第二表面和在所述第二表面上突出的第二导电元件，所述第一元器件或所述第二元器件中至少一个为微电子元件，至少一些第一导电元件或至少一些第二导电元件为基本刚性的导电柱，这些柱具有在其突出的相应表面上方的高度，所述高度为所述第一表面与所述第二表面之间距离的至少百分之四十，结合金属至少设置在所述至少一些第一导电元件上、或者设置在所述至少一些第二导电元件上，底充胶层至少覆盖至少一些的所述第一导电元件或至少一些的所述第二导电元件；

使所述第一导电元件中至少一个朝所述第二导电元件中的另一个移动，使得基本为刚性的柱剌穿所述底充胶层，并至少使所述结合金属变形；及

加热所述第一元器件及所述第二元器件至接合温度，直至所述结合金属沿所述柱的边缘流动，所述结合金属沿所述柱的高度的至少一半与所述边缘接触，并使所述第一元器件与所述第二元器件电连接。

2. 用于制造微电子组件的方法，包括：

提供微电子元件和介电元件，所述微电子元件具有第一表面和在所述第一表面上突出的第一导电元件，所述介电元件具有第二表面和在所述第二表面上突出的第二导电元件，至少一些第一导电元件或至少一些第二导电元件为基本刚性的导电柱，其他的第一导电元件或第二导电元件包括与至少一些导电柱并置的结合金属，这些柱具有在其突出的相应表面上方的高度，底充胶层覆盖至少一些的所述第一导电元件或至少一些的所述第二导电元件；

使所述第一导电元件中至少一个朝所述第二导电元件中另一个移动，使得基本刚性的柱刺穿所述底充胶层，并至少使所述结合金属变形；及

加热所述微电子元件和所述介电元件至接合温度，直至所述结合金属沿所述柱的边缘流动，并沿所述柱的所述高度的至少一半与所述边缘接触，及使所述微电子元件与所述介电元件电连接，

其中所述柱在其突出的相应表面上方的所述高度，至少为所述第一表面与所述第二表面之间距离的百分之四十。

3. 根据权利要求2所述的方法，其中所述第一导电元件包括所述结合金属，且所述至少一些导电柱为所述介电元件的第二导电元件。

4. 根据权利要求2所述的方法，其中所述至少一些柱为所述微电子元件的第一导电元件，且所述第二导电元件包括所述结合金属。

5. 根据权利要求2所述的方法，其中使所述第一导电柱中至少一个朝所述第二导电元件中另一个移动的步骤包括，所述基本刚性的柱剌入所述结合金属。

6. 根据权利要求2所述的方法，其中使所述第一导电元件中至少一个朝另一个移动的步骤包括，穿过所述结合金属的深度为，所述第一表面或所述第二表面中相应一个上方的所述焊料高度的至少25%。

7. 根据权利要求2所述的方法，其中在使所述结合金属变形的步骤之前，微量的所述底充胶层被所述导电柱推入所述结合金属内。

8. 根据权利要求2所述的方法，其中所述第一元器件为芯片。

9. 根据权利要求2所述的方法，其中所述第一元器件为互连元件。

10. 根据权利要求2所述的方法，其中所述第一元器件和所述第二元器件都为芯片。

11. 根据权利要求2所述的方法，其中所述第二元器件为互连元件。

12. 根据权利要求2所述的方法，其中所述第一导电元件中至少一些为基本刚性的柱。

13. 根据权利要求2所述的方法，其中所述第一导电元件中至少一些为导电垫。

14. 根据权利要求2所述的方法，其中所述第二导电元件中至少一些为基本刚性的柱。

15. 根据权利要求2所述的方法，其中所述第二导电元件中至少一些为导电垫。

16. 根据权利要求2所述的方法，其中所述底充胶覆盖所述第一导电元件。

17. 根据权利要求2所述的方法，其中所述底充胶覆盖所述第二导电元件。

18. 根据权利要求2所述的方法，其中所述底充胶覆盖所述第一导电元件及所述第二导电元件。