[发明专利]不流动底充胶有效
申请号: | 201180063433.6 | 申请日: | 2011-10-27 |
公开(公告)号: | CN103283007A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 贝勒卡西姆·哈巴;伊利亚斯·默罕默德;埃利斯·周;李相一;基肖尔·德赛 | 申请(专利权)人: | 德塞拉股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人: | 段淑华;刘曾剑 |
地址: | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流动 底充胶 | ||
相关申请的交叉引用
本申请是申请号为12/938068、申请日为2010年11月2日的美国专利申请的继续申请,其公开的内容以引用的方式并入本文。
背景技术
在半导体芯片封装组件的结构中,已发现,半导体封装的各元件之间和/或围绕各元件填充密封剂材料或底充胶是非常可取的,在芯片工作过程中,能使半导体芯片与支撑电路基板或介电元件之间连接处的应变及应力降低和/或再分布,且可使各元件密封以防止腐蚀,同时可确保芯片封装中密封剂、半导体裸片及其他元件之间的紧密接触。
为密封半导体芯片封装组件及类似物,已设计出各种方法。尽管致力于微电子密封技术的发展,已进行了很多努力,但仍需要进一步改进。
发明内容
用于制造微电子组件的方法,可包括:提供第一元器件和第二元器件,第一元器件具有第一表面和在第一表面上突出的第一导电元件,第二元器件具有第二表面和在第二表面上突出的第二导电元件。第一元器件和第二元器件中至少一个可为微电子元件,至少一些第一导电元件或至少一些第二导电元件可为基本刚性的导电柱,这些柱可具有在其突出的相应表面上方的高度,该高度至少为第一表面和第二表面之间距离的百分之四十。结合金属可至少设置在至少一些第一导电元件上、或者至少一些第二导电元件上,底充胶层可至少覆盖至少一些第一导电元件或至少一些第二导电元件。该方法可包括,使至少一个第一导电元件朝另一个第二导电元件移动,使得基本刚性的柱剌穿底充胶层,并至少使结合金属变形。该方法可包括,加热第一元器件及第二元器件至接合温度,直至结合金属沿柱的边缘流动,并使第一元器件与第二元器件电连接。结合金属可沿柱高度的至少一半与边缘接触。
根据本发明的另一方面,用于制造微电子组件的方法,可包括:提供微电子元件和介电元件,微电子元件具有第一表面和在第一表面上突出的第一导电元件,介电元件具有第二表面和在第二表面上突出的第二导电元件。至少一些第一导电元件或至少一些第二导电元件可为基本刚性的导电柱,其他的第一导电元件或第二导电元件可包括与至少一些导电柱并置的结合金属。各柱可具有在其突出的相应表面上方的高度,底充胶层覆盖至少一些第一导电元件或至少一些第二导电元件。该方法可包括,使至少一个第一导电元件朝另一第二导电元件移动,使得基本刚性的柱刺穿底充胶层,并至少使结合金属变形。该方法可包括加热微电子元件和介电元件至接合温度,直至结合金属沿柱的边缘流动,并沿柱高度的至少一半与边缘接触,及使微电子元件与介电元件电连接。这些柱在其突出的相应表面上方的高度,可至少为第一表面和第二表面之间距离的百分之四十。
在一个实施例中,第一导电元件包括结合金属,且至少一些导电柱为介电元件的第二导电元件。
在一个实施例中,至少一些柱为微电子元件的第一导电元件,且第二导电元件包括结合金属。
在一个实施例中,使至少一个第一导电柱朝另一个第二导电元件移动的步骤包括,基本刚性的柱剌入结合金属。
在一个实施例中,使至少一个第一导电元件朝另一导电元件移动的步骤包括,穿过结合金属的深度为,第一表面或第二表面中相应一个上方的焊料高度的至少25%。
在一个实施例中,在使结合金属变形的步骤之前,微量的底充胶层被导电柱推入结合金属内。
在一个实施例中,第一元器件可为芯片或互连元件。
在一个实施例中,第一元器件和第二元器件可都为芯片,或第二元器件可为互连元件。
在一个实施例中,至少一些第一导电元件可为基本刚性的柱;或至少一些第一导电元件可为导电垫;或至少一些第二导电元件可为基本刚性的柱;或至少一些第二导电元件可为导电垫。
在一个实施例中,底充胶可覆盖第一导电元件;或底充胶可覆盖第二导电元件;或底充胶可覆盖第一导电元件及第二导电元件。
在一个实施例中,第一元器件可为微电子元件,至少一些第一导电元件可为接触垫,且至少一些第二导电元件为基本刚性的柱。替代地,第二元器件可为互连元件或微电子元件。在另一替代实施例中,提供步骤可包括,在至少一些基本刚性的柱上提供结合金属,或在至少一些接触垫上提供结合金属。
在一个实施例中,第一元器件可为微电子元件,至少一些第一导电元件可为基本刚性的柱,且至少一些第二导电元件可为接触垫。替代地,第二元器件可为互连元件或微电子元件。
在一个实施例中,第一元器件可为微电子元件,至少一些第一导电元件可为基本刚性的柱,且至少一些第二导电元件可为基本刚性的柱。替代地,第二元器件可为互连元件或微电子元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造