[发明专利]成膜装置无效
申请号: | 201180063546.6 | 申请日: | 2011-12-19 |
公开(公告)号: | CN103339281A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 田岛三之;内田敬自;藤塚正直;高桥悌二 | 申请(专利权)人: | 佳能特机株式会社 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24;H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
技术领域
本发明涉及成膜装置。
背景技术
当前,关于有机EL(electro-luminescence:电致发光)显示面板在制造装置中的搬送方式,由于基板尺寸在例如第4代的半切割尺寸以下,重力引起的玻璃基板的挠曲较小,不成问题,因此,面朝下的水平搬送成为主流。
可是,很明显将来基板尺寸会变大(成为第4代以上),在水平搬送基板的情况下,随着基板大型化,装置的设置空间会增大。
另外,即使基板尺寸变大,但校准的精度不变,从而导致对位的困难度相对增加。进而,存在下述这样的担忧:在水平搬送时,由于基板的挠曲,基板与掩模的对位产生问题。
因此,为了抑制装置的设置空间的增大,并且为了减轻重力引起的基板的挠曲,如例如专利文献1所公开的那样提出有以垂直状态(直立状态)搬送基板的垂直搬送方式。
另外,用于对位的校准单元沿平面方向伸出,从而存在使设置空间增大的可能性。
另外,随着基板的大型化,腔室(成膜室)也变得大型化,由此会导致腔室的变形增大,因此,腔室的变形会作为过载作用给内部的LM(Linear Motion:线性运动)引导件,相应地使LM引导件的寿命缩短。另外,如果提高腔室的强度来减小变形,则重量会增加,相应地产生成本和搬运的问题。
另外,有机EL的蒸镀原材料非常昂贵,希望没有浪费且高效地使用蒸镀材料。即,在通常的蒸镀装置中,蒸镀结束后,直至完成下一个基板的定位之前,蒸发源会持续喷出蒸镀材料,这部分的量被浪费掉,相应地使得蒸镀材料的使用效率降低。另外,如果使基板与蒸发源靠近,则使用效率提高,但基板、掩模的温度上升,从而存在蒸镀图案发生偏移这样的问题。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-340425号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明是为了解决上述问题而完成的,提供一种成膜装置,该成膜装置在节省空间的同时尽可能降低腔室变形的影响,另外,能够确保校准精度,还能够实现材料的使用效率的提高等,即使对于第4代以上的大型基板也能够应对,实用性非常优异。
用于解决问题的技术方案
参照附图对本发明的主旨进行说明。
一种成膜装置,所述成膜装置具备成膜室1,在所述成膜室1,使成膜材料经由掩模3附着于保持为直立状态的基板2来进行成膜,所述成膜装置的特征在于,在所述成膜室1设有:校准驱动机构,其进行所述掩模3与所述基板2的对位,以便所述掩模3相对于所述基板2处于适当位置;蒸发源100,其使所述成膜材料附着于能够沿所述基板2或所述掩模3的搬送方向移动的所述基板2;以及掩模搬送机构和基板搬送机构,它们分别将所述掩模3和所述基板2以直立状态搬送至面对所述蒸发源100的多个成膜位置,所述成膜装置构成为,能够一边在一个所述成膜位置通过所述蒸发源进行成膜,一边在另一个所述成膜位置通过所述校准驱动机构进行所述掩模3与所述基板2的对位。
一种成膜装置,所述成膜装置具备成膜室1,在所述成膜室1,使成膜材料经由掩模3附着于保持为直立状态的基板2来进行成膜,所述成膜装置的特征在于,在所述成膜室1设有:校准驱动机构,其使将所述掩模3安装成直立状态的校准框4相对于所述基板2进行调整移动,来进行所述掩模3与所述基板2的对位,以便所述掩模3相对于所述基板2位于适当位置;蒸发源100,其使所述成膜材料附着于所述基板2;蒸发源引导机构,其引导该蒸发源100沿着所述基板2或所述掩模3的搬送方向往复移动;以及掩模搬送机构和基板搬送机构,它们分别将所述掩模3和所述基板2以直立状态搬送至与所述蒸发源100对置的多个成膜位置;以及,其将以直立状态搬送至面对所述蒸发源100的多个成膜位置,在所述多个成膜位置分别设置有所述校准驱动机构,所述成膜装置构成为,能够一边在一个所述成膜位置通过所述蒸发源100进行成膜,一边在另一个所述成膜位置通过所述校准驱动机构进行所述掩模3与所述基板2的对位。
另外,根据技术方案2所述的成膜装置,其特征在于,在所述蒸发源引导机构与所述成膜室1的内壁面之间设有吸收成膜室1的变形的变形吸收机构。
另外,根据技术方案2所述的成膜装置,其特征在于,所述成膜装置具备蒸发源冷却机构,所述蒸发源冷却机构防止从所述蒸发源100向所述基板2散热。
另外,根据技术方案3所述的成膜装置,其特征在于,所述成膜装置具备蒸发源冷却机构,所述蒸发源冷却机构防止从所述蒸发源100向所述基板2散热。
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