[发明专利]电子器件和用于制造电子器件的方法有效
申请号: | 201180063794.0 | 申请日: | 2011-12-05 |
公开(公告)号: | CN103283146B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 古德龙·亨 | 申请(专利权)人: | 史奈普塔克有限公司 |
主分类号: | H03H9/10 | 分类号: | H03H9/10 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张春水;田军锋<国际申请>=PCT/EP |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子器件 用于 制造 方法 | ||
1.电声器件,具有:
-第一电极(10);
-第二电极(20);
-有源区(30),所述有源区设立为与所述第一电极(10)和所述第二电极(20)电耦合,其中,所述有源区(30)包括压电层;以及
-壳体(100),
其中,所述壳体(100)是晶圆级薄膜封装,其包含具有多个相叠设置的层的层序列(80),所述壳体(100)至少在部分区域中包含有石墨烯,所述石墨烯设置为单层或多层。
2.根据权利要求1所述的电声器件,其中,所述第一电极和所述第二电极(10、20)设置在所述压电层(30)的一侧上或者设置在所述压电层(30)的相对侧上。
3.根据权利要求1所述的电声器件,其中,所述壳体(100)具有空腔(60),所述空腔设置在所述有源区(30)上。
4.根据权利要求3所述的电声器件,其中,在所述空腔(60)上设置有跨越所述空腔的层序列(80)。
5.根据权利要求4所述的电声器件,其中,在所述空腔(60)和所述层序列(80)之间设置有第一稳定层(70)。
6.根据权利要求4所述的电声器件,其中,所述层序列(80)具有至少一个稳定层(81、82、83),所述稳定层包括石墨烯。
7.根据权利要求5所述的电声器件,其中,所述第一稳定层(70)包括石墨烯。
8.根据权利要求6所述的电声器件,其中,至少一个所述稳定层(81、82、83)在所述层序列(80)内设置为完全地包围所述空腔(60)的层(81)或者设置为朝外封闭所述层序列(80)的层(83)。
9.根据权利要求6所述的电声器件,其中,至少一个所述稳定层(81,83)还是高频屏蔽和/或散热的。
10.根据权利要求1所述的电声器件,所述电声器件构成为基于表面波的器件、基于体积波的器件或者微电子机械器件。
11.用于制造根据权利要求1至10之一所述的电声器件的方法,具有如下方法步骤:
将临时层施加在如下构造上,所述构造包括第一电极(10)、第二电极(20)和有源区(30);
将具有开口的第一稳定层(70)设置在所述临时层上;
通过所述开口移除所述临时层,以在所述构造上形成空腔(60);以及
将层序列(80)施加在所述第一稳定层上,其中包含石墨烯的层直接施加在跨越所述空腔(60)的所述第一稳定层(70)上、施加在层序列中或者施加作为封闭所述层序列的层。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,设置所述第一稳定层或施加所述层序列(80)中的至少一个借助于如下方法来实施,所述方法从包括化学气相沉积、物理气相沉积、施加在溶液中和化学表面反应的组中选择。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于史奈普塔克有限公司,未经史奈普塔克有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180063794.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。