[发明专利]薄膜半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜半导体器件，具备：

基板；

栅电极，其形成于所述基板上；

栅极绝缘膜，其形成于所述栅电极上以及遍及比其两端部更靠外侧的所述基板上，

半导体层，其形成于所述栅极绝缘膜上，具有沟道区域；

绝缘层，其形成于所述半导体层上，具有隔开间隔配置的第1接触开口部以及第2接触开口部；

源电极，其形成于所述绝缘层的上方；以及

漏电极，其形成于所述绝缘层的上方，与所述源电极对向地形成，

所述半导体层的带隙能量为1.6eV以下，

所述绝缘层具有配置在比所述第1接触开口部更靠外侧的位置的第1绝缘层区域、和配置在比所述第2接触开口部更靠外侧的位置的第2绝缘层区域，

所述第1绝缘层区域配置在所述栅电极的一端部的上方，所述第2绝缘层区域配置在所述栅电极的另一端部的上方，

所述源电极穿过所述第1接触开口部与所述沟道区域电连接，所述漏电极穿过所述第2接触开口部与所述沟道区域电连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜半导体器件，

所述绝缘层还具备第3绝缘层区域，所述第3绝缘层区域配置在所述第1接触开口部与所述第2接触开口部之间，

所述第3绝缘层区域配置在所述栅电极的中央部的上方，作为覆盖所述沟道区域的沟道蚀刻阻止层发挥功能。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜半导体器件，

所述源电极以及所述漏电极的沟道宽度方向上的大小，分别比所述第3绝缘层区域的沟道宽度方向上的大小大。

4.根据权利要求3所述的薄膜半导体器件，

所述源电极以及所述漏电极从所述第3绝缘层区域的沟道宽度方向上的两端部分别突出2μm以上。

5.根据权利要求4所述的薄膜半导体器件，

所述源电极以及所述漏电极从所述第3绝缘层区域的沟道宽度方向上的两端部分别突出4μm以上。

6.一种薄膜半导体器件的制造方法，包括：

第1工序，准备基板；

第2工序，在所述基板上形成栅电极；

第3工序，在所述栅电极上以及遍及比其两端部更靠外侧的所述基板上形成栅极绝缘膜；

第4工序，在所述栅极绝缘膜上形成具有沟道区域的半导体层；

第5工序，在所述半导体层上形成绝缘层；

第6工序，在所述绝缘层形成隔开间隔配置的第1接触开口部以及第2接触开口部；以及

第7工序，在所述绝缘层的上方形成源电极以及与所述源电极对向的漏电极，

在所述第4工序中，形成带隙能量为1.6eV以下的所述半导体层，

在所述第6工序中，通过在所述绝缘层形成所述第1接触开口部以及所述第2接触开口部，在比所述第1接触开口部更靠外侧的位置，形成配置在所述栅电极的一端部的上方的第1绝缘层区域，在比所述第2接触开口部更靠外侧的位置，形成配置在所述栅电极的另一端部的上方的第2绝缘层区域，

在所述第7工序中，将所述源电极穿过所述第1接触开口部与所述沟道区域电连接，将所述漏电极穿过所述第2接触开口部与所述沟道区域电连接。