[发明专利]具有分段形成的贯通硅通路及芯片上载体的堆叠微电子组件有效

专利信息
申请号: 201180066039.8 申请日: 2011-03-22
公开(公告)号: CN103339717A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 瓦格·奥甘赛安;贝勒卡西姆·哈巴;伊利亚斯·默罕默德;克雷格·米切尔;皮尤什·萨瓦利亚 申请(专利权)人: 德塞拉股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/498;H01L23/48
代理公司: 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 代理人: 段淑华;刘曾剑
地址: 美国加利福尼亚州*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 分段 形成 贯通 通路 芯片 载体 堆叠 微电子 组件
【权利要求书】:

1.微电子组件,包括:

第一元件,基本上由半导体或无机介电材料中至少一种组成;

微电子元件,与所述第一元件附接,使得所述第一元件的表面面对所述微电子元件的主表面,所述微电子元件具有在所述主表面暴露的复数个导电垫,所述微电子元件内具有有源半导体器件;

第一开口,从所述第一元件的暴露表面朝面对所述微电子元件的表面延伸,第二开口,从所述第一开口延伸至第一个导电垫,其中在所述第一开口与所述第二开口相交处,所述第一开口的内表面和所述第二开口的内表面相对于所述微电子元件的所述主表面以不同角度延伸;及

导电元件,在所述第一开口及所述第二开口内延伸,且与所述至少一个导电垫接触。

2.微电子组件,包括:

第一元件,基本上由半导体或无机介电材料中至少一种组成;

微电子元件,与所述第一元件附接,使得所述第一元件的表面面对所述微电子元件的主表面,所述微电子元件具有在所述主表面暴露的复数个导电垫,所述微电子元件内具有有源半导体器件;

第一开口,从所述第一元件的暴露表面朝着面对所述微电子元件的表面延伸,第二开口,从所述第一开口穿过第一个导电垫而延伸,其中在所述第一开口与所述第二开口相交处,所述第一开口的内表面和所述第二开口的内表面相对于所述微电子元件的所述主表面以不同角度延伸;及

导电元件,在所述第一开口及所述第二开口内延伸,且与所述至少一个导电垫接触。

3.根据权利要求1或2所述的微电子组件,其中所述导电元件与所述第一开口及所述第二开口中至少一个的内表面的轮廓一致。

4.根据权利要求1或2所述的微电子组件,其中所述导电元件具有由所述第一开口和所述第二开口中至少一个的内表面的轮廓独立确定的外形。

5.根据权利要求1或2所述的微电子组件,其中所述导电元件具有圆柱形或截头圆锥形中至少一种的外形。

6.根据权利要求1或2所述的微电子组件,其中所述第一元件为不具有有源半导体器件的载体。

7.根据权利要求5所述的微电子组件,其中所述第一元件内进一步包括至少一个无源电路元件。

8.根据权利要求5所述的微电子组件,其中所述至少一个无源电路元件包括,从由电感器、电阻器或电容器组成的群组中选择的至少一个。

9.根据权利要求5所述的微电子组件,其中所述载体机械支撑所述微电子元件。

10.根据权利要求1或2所述的微电子组件,其中所述第一元件具有第一厚度,而所述微电子元件具有小于或等于所述第一厚度的第二厚度。

11.根据权利要求1或2所述的微电子组件,其中所述微电子元件的所述主表面为其正面,所述微电子元件具有与所述正面相对的背面、及从所述背面延伸并暴露至少一个导电垫的至少一部分的开口,第二导电元件在所述微电子元件的所述开口内延伸,并与所述导电垫电连接。

12.根据权利要求11所述的微电子组件,其中所述微电子元件包括复数个开口,所述微电子组件包括在所述第二开口内延伸且与所述导电垫电连接的复数个第二导电元件。

13.根据权利要求12所述的微电子组件,其中所述第二导电元件分别与所述导电垫中相应的一个电连接。

14.微电子组件,包括:

第一元件,基本上由半导体或无机介电材料中至少一种组成;

微电子元件,与所述第一元件附接,使得所述第一元件的表面面对所述微电子元件的主表面,所述微电子元件具有复数个导电垫,所述导电垫具有在所述主表面暴露的上表面和与所述上表面相对的下表面,所述微电子元件内具有有源半导体器件;

第一导电元件,在所述第一元件的第一开口内延伸,并与至少一个导电垫的所述上表面接触;及

第二导电元件,穿过所述微电子元件的第二开口而延伸,并与所述至少一个导电垫接触;

所述第一导电元件和所述第二导电元件在所述微电子组件的相对的两表面暴露,用于与所述微电子组件外部的至少一个元器件导电互连。

15.根据权利要求14所述的微电子组件,其中所述第一开口的内表面和所述第二开口的内表面分别从所述至少一个导电垫的相应上表面及下表面以不相同的第一角度和第二角度延伸。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德塞拉股份有限公司,未经德塞拉股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180066039.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top