[发明专利]具有分段形成的贯通硅通路及芯片上载体的堆叠微电子组件有效

专利信息
申请号: 201180066039.8 申请日: 2011-03-22
公开(公告)号: CN103339717A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 瓦格·奥甘赛安;贝勒卡西姆·哈巴;伊利亚斯·默罕默德;克雷格·米切尔;皮尤什·萨瓦利亚 申请(专利权)人: 德塞拉股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/498;H01L23/48
代理公司: 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 代理人: 段淑华;刘曾剑
地址: 美国加利福尼亚州*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 分段 形成 贯通 通路 芯片 载体 堆叠 微电子 组件
【说明书】:

 

相关申请的交叉引用

本申请要求申请号为13/051424、申请日为2011年3月18日的美国专利申请之申请日之利益,该申请要求临时申请号为61/419033、申请日为2010年12月2日的美国临时专利申请之利益,其公开的内容以引用的方式并入本文。

背景技术

本发明涉及微电子器件的封装,尤其是半导体器件的封装。

微电子器件通常包括如硅或砷化镓等半导体材料的薄板,一般称为裸片或半导体芯片。半导体芯片一般设置为单独的预封装单元。在一些单元的设计中,半导体芯片安装至基板或芯片载体上,而基板或芯片载体再安装至如印刷电路板等的电路板上。

有源电路在半导体芯片的第一面(如正面)制备。为便于与有源电路的电连接,在芯片的同一面设置有结合垫。结合垫通常以规则阵列的形式设置,或者沿裸片的边缘,或者在裸片的中心,对于许多存储器件来说设置在裸片的中心。结合垫通常由如铜或铝等的导电金属制成,大约为0.5微米(μm)厚。结合垫可包括单层或多层的金属。结合垫的大小随器件类型而变化,但典型地,在一侧的尺寸为几十微米至几百微米。

贯通硅通路(TSV)用于使其上设有结合垫的半导体芯片的正面与半导体芯片的与正面相对的背面电连接。常规的TSV孔会使可用于容纳有源电路的第一表面部分缩减。这种第一表面上可用于有源电路的可利用空间的减少,会使生产每个半导体芯片所需的硅量增加,从而潜在地增加每个芯片的成本。

在芯片的任一几何布置中,尺寸是重要的考虑因素。随着便携式电子装置的快速发展,芯片的更紧凑几何布置的需求变得更为强烈。仅以示例的方式说明,通常称为“智能手机”的装置,集成了移动电话及强大的数据处理器、存储器、如全球定位系统接收器、数码相机等的辅助器件等的功能,以及局域网连接,并伴有高分辨率的显示及相关的图像处理芯片。这种装置可提供如完整的互联网连接、包括高清视频等的娱乐、导航、电子银行及更多的功能,都设置在袖珍式的装置内。复杂的便携装置要求把大量芯片包装至狭小的空间内。此外,一些芯片具有许多输入和输出接口,一般称为“I/O口”。这些I/O口必须与其他芯片的I/O口互连。这种互连应尽量短且应具有低的阻抗,以使信号传输延迟最小化。形成这些互连的元器件应不大幅度增加组件的尺寸。类似需求也出现在其他应用中,例如,数据服务器,如在互联网搜索引擎中使用的数据服务器。例如,在复杂芯片之间设置大量短且阻抗低的互连的结构,可增加搜索引擎的频带宽度(bandwidth),并降低其能耗。

尽管在半导体通路的形成和互连方面已取得进展,但为加强制作芯片正面与背面之间连接的处理过程,及这种过程生成的结构,仍可以做出进一步的改进。

发明内容

根据本发明的一个方面,微电子组件可包括第一元件、微电子元件、第一开口及导电元件,微电子元件与第一元件附接,使得第一元件的表面面对微电子元件主表面,第一开口从第一元件的暴露表面朝着面对微电子元件的表面延伸。第一元件可基本上由半导体或无机介电材料中至少一种组成。微电子元件可具有在主表面暴露的复数个导电垫。微电子元件内可具有有源半导体器件。微电子组件还可包括从第一开口延伸至第一个导电垫的第二开口。在第一开口与第二开口相交处,第一开口的内表面和第二开口的内表面可相对于微电子元件的主表面以不同角度延伸。导电元件可在第一开口及第二开口内延伸,且可与至少一个导电垫接触。

根据本发明的另一方面,微电子组件可包括第一元件、微电子元件、第一开口及导电元件,微电子元件与第一元件附接,使得第一元件的表面面对微电子元件主表面,第一开口从第一元件的暴露表面朝着面对微电子元件的表面延伸。第一元件可基本上由半导体或无机介电材料中至少一种组成。微电子元件可具有在主表面暴露的复数个导电垫。微电子元件内可具有有源半导体器件。微电子组件还可包括从第一开口穿过第一个导电垫而延伸的第二开口。在第一开口与第二开口相交处,第一开口的内表面和第二开口的内表面可相对于微电子元件的主表面以不同角度延伸。导电元件可在第一开口及第二开口内延伸,且可与至少一个导电垫接触。

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