[发明专利]具有包括电容器内电阻器的内部稳定性网络的RF晶体管封装以及形成具有包括电容器内电阻器的内部稳定性网络的RF晶体管封装的方法

权利要求书

1. 一种封装RF晶体管器件，包括：

RF晶体管管芯，包括多个RF晶体管单元，所述多个RF晶体管单元中的每一个包括控制端子和输出端子；

RF输入引线；以及

输入匹配网络，被耦合在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间，所述输入匹配网络包括具有相应输入端子的多个电容器，其中，所述电容器的输入端子被耦合至所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子，以及其中，所述输入匹配网络进一步包括分别被耦合在所述电容器的相邻输入端子之间的多个电阻器。

2. 根据权利要求1所述的封装RF晶体管器件，其中，输入网络进一步包括：第一线接合，处于所述RF输入引线与所述电容器中相应的电容器的输入端子之间；以及第二线接合，处于所述电容器中相应的电容器的输入端子与所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子之间。

3. 根据权利要求2所述的封装RF晶体管器件，其中，输入网络进一步包括：第三线接合，处于所述电容器的输入端子与所述电阻器的相应端子之间。

4. 根据权利要求3所述的封装RF晶体管器件，其中，所述多个电阻器作为电阻器块而被提供在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间，以及其中，所述电阻器块包括所述电阻器中相应的电阻器之间的多个节点，所述电阻器被串联电连接，并且所述第三线接合被耦合在所述节点中相应的节点与所述电容器的输入端子之间。

5. 根据权利要求1所述的封装RF晶体管器件，其中，输入网络进一步包括：第一线接合，处于所述RF输入引线与相应电阻器的端子之间；第二线接合，处于所述电阻器的端子与所述电容器中相应的电容器的输入端子之间；以及第三线接合，处于所述电容器中相应的电容器的输入端子与所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子之间。

6. 根据权利要求1所述的封装RF晶体管器件，进一步包括基底，其中，所述RF晶体管管芯在所述基底上被安装在所述RF输入引线与所述RF输出引线之间，以及其中，所述多个电阻器作为电阻器块而在所述基底上被提供在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间。

7. 根据权利要求6所述的封装RF晶体管器件，其中，所述多个电容器作为电容器块而在所述基底上被提供在所述电阻器块与所述RF晶体管管芯之间。

8. 根据权利要求6所述的封装RF晶体管器件，其中，所述电阻器块包括所述电阻器中相应的电阻器之间的多个节点，所述电阻器被串联电连接，并且所述第二线接合被耦合在所述节点中相应的节点与所述电容器的输入端子之间。

9. 根据权利要求1所述的封装RF晶体管器件，进一步包括：

RF输出引线，被耦合至所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的输出端子；

基底，其中，所述RF晶体管管芯在所述基底上被安装在所述RF输入引线与所述RF输出引线之间，其中，所述多个电容器作为电容器块而在所述基底上被提供在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间，以及其中，所述多个电阻器作为电阻器块而在所述基底上被提供在所述RF输入引线与所述电容器块之间；以及

容纳所述RF晶体管管芯和所述输入匹配网络的封装，其中，RF信号输入引线和RF信号输出引线从所述封装延伸。

10. 根据权利要求1所述的封装RF晶体管器件，其中，所述多个电阻器包括多个分立器件。

11. 一种封装RF晶体管器件，包括：

RF晶体管管芯，包括多个RF晶体管单元，所述多个RF晶体管单元中的每一个包括控制端子和输出端子；

RF输入引线；以及

输入匹配网络，被耦合在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间，所述输入匹配网络包括具有多个输入端子的分裂电容器，其中，所述分裂电容器的输入端子被耦合至所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子，以及其中，所述输入匹配网络进一步包括分别被耦合在所述分裂电容器的相邻输入端子之间的多个电阻器。

12. 根据权利要求11所述的封装RF晶体管器件，其中，输入网络进一步包括：第一线接合，处于所述RF输入引线与所述分裂电容器的相应输入端子之间；以及第二线接合，处于所述分裂电容器的相应输入端子与所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子之间。