[发明专利]具有包括电容器内电阻器的内部稳定性网络的RF晶体管封装以及形成具有包括电容器内电阻器的内部稳定性网络的RF晶体管封装的方法

说明书

相关申请

本申请是于2007年6月22日提交的、名称为RF TRANSISTOR PACKAGES WITH INTERNAL STABILITY NETWORK AND METHODS OF FORMING RF TRANSISTOR PACKAGES WITH INTERNAL STABILITY NETWORKS、序列号为11/767,172的美国申请的部分继续申请，该美国申请的公开以其整体通过引用并入本文。

技术领域

本发明总体涉及RF晶体管，并且更特别地，本发明涉及具有输入匹配网络的封装RF晶体管以及形成具有输入匹配网络的封装RF晶体管的方法。

背景技术

典型地，封装RF功率器件包括被安装在基底上且被包围在封装中的晶体管管芯。通过从该封装外部延伸至该封装的内部的RF输入引线将RF输入信号供给至晶体管，并且通过从该封装内部延伸至外部的RF输出引线来从器件递送RF输出信号。输入匹配电路可以被包括在该封装内，并可以被连接在RF输入引线与RF晶体管的输入端子之间。输入匹配电路在晶体管的基本操作频率下在晶体管的输入处提供阻抗匹配。

RF晶体管可以包括较大外围晶体管管芯，该外围晶体管管芯包括处于公共衬底上且并联连接的多个分立晶体管单元。输入匹配可以对这种器件特别有益，这是由于其可以增加器件的可用带宽。然而，典型地，输入匹配网络包括单个电容器，其可以创建较大外围晶体管管芯的相邻单元之间的较低频反馈路径。该反馈路径可降低总体器件的稳定性。

此外，必须仔细地选择输入匹配网络的元件的阻抗值，以避免造成奇模振荡。包括通过接合线长度对适当电感的选择在内的对阻抗值的选择可限制匹配网络的拓扑。

发明内容

根据一些实施例的一种封装RF晶体管器件包括RF晶体管管芯，所述RF晶体管管芯包括多个RF晶体管单元。所述多个RF晶体管单元中的每一个包括控制端子和输出端子。所述RF晶体管器件进一步包括：RF输入引线；以及输入匹配网络，被耦合在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间。所述输入匹配网络包括具有相应输入端子的多个电容器。所述电容器的输入端子被耦合至所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子。所述输入匹配网络进一步包括分别被耦合在所述电容器的相邻输入端子之间的多个电阻器。

输入网络可以进一步包括：第一线接合，处于所述RF输入引线与所述电容器中相应的电容器的输入端子之间；以及第二线接合，处于所述电容器中相应的电容器的输入端子与所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子之间。

输入网络可以进一步包括：第三线接合，处于所述电容器的输入端子与所述电阻器的相应端子之间。

所述多个电阻器可以作为电阻器块而被提供在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间，并且所述电阻器块可以包括所述电阻器中相应的电阻器之间的多个节点。所述电阻器可以被串联电连接，并且所述第三线接合可以被耦合在所述节点中相应的节点与所述电容器的输入端子之间。

在一些实施例中，输入网络可以包括：第一线接合，处于所述RF输入引线与相应电阻器的端子之间；第二线接合，处于所述电阻器的端子与所述电容器中相应的电容器的输入端子之间；以及第三线接合，处于所述电容器中相应的电容器的输入端子与所述RF晶体管单元中相应的RF晶体管单元的控制端子之间。

所述封装RF晶体管器件可以进一步包括基底，并且所述RF晶体管管芯可以在所述基底上被安装在所述RF输入引线与所述RF输出引线之间。所述多个电阻器可以作为电阻器块而在所述基底上被提供在所述RF输入引线与所述RF晶体管管芯之间。

所述多个电容器可以作为电容器块而在所述基底上被提供在所述电阻器块与所述RF晶体管管芯之间。

所述电阻器块可以包括所述电阻器中相应的电阻器之间的多个节点。所述电阻器可以被串联电连接，并且所述第二线接合可以被耦合在所述节点中相应的节点与所述电容器的输入端子之间。