[发明专利]半导体装置的制造方法及麦克风的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制造方法。另外，本发明涉及一种将声敏传感器安装在封装内的麦克风的制造方法。

背景技术

（通常的麦克风）

图1是表示现有的通常结构的麦克风的剖视图。该麦克风11是在由罩体12和电路基板13构成的封装内安装有声敏传感器（acoustic sensor）15和信号处理电路17的麦克风。声敏传感器15和信号处理电路17以沿着横向排列的状态安装于电路基板13的上表面。信号处理电路17被封装用树脂21覆盖。通过接合线（Bonding wire：键合线）18将声敏传感器15和信号处理电路17电连接，而且，信号处理电路17通过接合线19与电路基板13的基板内布线14相连接。

通常、电路基板13的下表面安装于印刷布线基板，并紧贴印刷布线基板。因此，用于向封装内导入声振动的声音导入孔20在罩体12的上表面开口。声敏传感器15的下表面与电路基板13粘合，后腔（back chamber）16的下表面被电路基板13堵住。

就静电容量型的麦克风而言，麦克风的灵敏度与后腔的容积之间存在密不可分的关系，若后腔的容积变小，则麦克风的灵敏度会下降。在该麦克风11中，在罩体12设置声音导入孔20，将声敏传感器15与电路基板13之间的空间作为后腔16，因此，不能扩大后腔16的容积，从而难以提高麦克风11的灵敏度。

（专利文献1的麦克风）

图2示出了在专利文献1中公开的麦克风。在专利文献1的麦克风31中，在电路基板13的上表面安装有信号处理电路17。在与信号处理电路17相邻的位置，在电路基板13的上表面固定有隔离件（spacer）32，而且在隔离件32的上表面安装有声敏传感器15。在隔离件32上形成有上下贯穿的贯穿孔33。在声敏传感器15的下表面设置有电极垫，声敏传感器15经由隔离件32与电路基板13电连接。声音导入孔20在罩体12上开口。

在该麦克风31中，由于使隔离件32的贯穿孔33与声敏传感器15的后腔16连续，所以膜片下方的空间变大。因此，能够在实质上扩大声敏传感器15的后腔16的容积，从而提高麦克风31的灵敏度。

然而，在这种结构中，由于在电路基板13的上表面安装隔离件32，而且在隔离件32的上方安装声敏传感器15，所以会产生麦克风31的高度变高的不良情况。

作为降低这种麦克风的高度的方法，考虑有如下的方法：在声敏传感器的制造工序中，研磨声敏传感器的基板部分来减薄该基板部分，从而降低声敏传感器的高度。然而，在声敏传感器的制造工序中，在晶片上一次性地制作多个声敏传感器。因此，若要减薄声敏传感器的基板部分，需要在声敏传感器的制造工序中研磨并减薄晶片。

通常，采用很薄的大口径的晶片。因此，若研磨并减薄晶片，则晶片的刚性会大幅度降低。其结果为，在研磨工序或此后的工序中，有可能在晶片上产生断裂或欠缺，从而导致声敏传感器的成品率降低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-178221号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是鉴于上述的技术问题而提出的，其目的在于，提供一种在构成为在支撑构件的上方安装有半导体元件的半导体装置（例如，构成为在支撑构件的上方安装有声敏传感器的麦克风）中，能够降低半导体元件的高度，进而能够使半导体装置薄型化的制造方法。

用于解决问题的手段

本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具有：制作工序，在半导体衬底上制作半导体元件，接合工序，使所述半导体衬底的制作所述半导体元件一侧的面与支撑构件接合，减薄工序，在所述半导体衬底与所述支撑构件接合的状态下，对与所述半导体衬底的制作有所述半导体元件的面相反一侧的面进行研磨，以减薄所述半导体衬底的厚度。

在本发明的半导体装置的制造方法中，在使制作了半导体元件的半导体衬底和支撑构件接合之后，在维持两者接合的状态下，对半导体衬底进行研磨，以减薄半导体衬底的厚度。因此，能够降低在半导体衬底上制作的半导体元件的高度，从而能够实现半导体装置的薄型化。而且，能够在通过使半导体衬底与支撑构件贴合，提高了半导体衬底的刚性的状态下，研磨半导体衬底。因此，在研磨的工序中或在研磨之后的工序中，半导体衬底难以产生断裂或欠缺，从而能够使半导体元件的成品率上升，并且能够在实质上实现半导体装置的薄型化。