[发明专利]电子器件及其制造方法、电子器件的驱动方法有效

专利信息
申请号: 201180069268.5 申请日: 2011-06-02
公开(公告)号: CN103430272A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 岛内岳明;豊田治;上田知史 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01H59/00 分类号: H01H59/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 金相允;向勇
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子器件 及其 制造 方法 驱动
【权利要求书】:

1.一种电子器件,其特征在于,包括:

基材;

导电膜,其具备固定在所述基材上的第一端部和第二端部,并在所述第一端部和所述第二端部之间相对于所述基材能够横向移动;

第一驱动电极,其设置于所述基材上的与所述导电膜的第一主表面相向的位置,并被施加第一驱动电压;

第二驱动电极,其设置于所述基材上的与所述导电膜的第二主表面相向的位置,并被施加第二驱动电压;

端子,其设置于所述基材上的能够与所述导电膜的所述第二主表面相接触的位置。

2.如权利要求1所述的电子器件,其特征在于,

所述第二驱动电极和所述端子分别设置有多个,

在多个所述第二驱动电极的各电极之间,分别设置有一个所述端子。

3.如权利要求2所述的电子器件,其特征在于,在所述基材上设置有与多个所述端子电连接的导体图案。

4.如权利要求2所述的电子器件,其特征在于,

具有互相串联连接的多个线圈,

多个所述端子的每一个端子与多个所述线圈之间的连接点电连接。

5.如权利要求4所述的电子器件,其特征在于,所述线圈俯视呈涡旋形。

6.如权利要求2所述的电子器件,其特征在于,还包括电压供给部,该电压供给部向所述第一驱动电极供给所述第一驱动电压,并选择性地向多个所述第二驱动电极的各个电极供给所述第二驱动电压。

7.如权利要求6所述的电子器件,其特征在于,在所述第一驱动电极和所述电压供给部之间以及在多个所述第二驱动电极和所述电压供给部之间设置有射频模块。

8.如权利要求1所述的电子器件,其特征在于,还包括电介质膜,该电介质膜覆盖所述第一驱动电极和所述第二驱动电极的各电极的外周侧面。

9.如权利要求1所述的电子器件,其特征在于,在所述基材上形成有俯视呈长方形形状的沟槽,在该沟槽的内侧设置有沿着该沟槽的长尺寸方向延伸的所述导电膜。

10.如权利要求9所述的电子器件,其特征在于,所述第一驱动电极与所述沟槽之间具有间隔。

11.如权利要求9所述的电子器件,其特征在于,所述第二驱动电极与所述沟槽之间具有间隔。

12.如权利要求9所述的电子器件,其特征在于,所述端子从所述沟槽的侧面露出。

13.一种电子器件的制造方法,其特征在于,包括:

形成导电膜的工序,所述导电膜具备固定在基材上的第一端部和第二端部,并在所述第一端部和所述第二端部之间相对于所述基材能够横向移动;

形成第一驱动电极的工序,所述第一驱动电极设置于所述基材上的与所述导电膜的第一主表面相向的位置,并被施加第一驱动电压;

形成第二驱动电极的工序,所述第二驱动电极设置于所述基材上的与所述导电膜的第二主表面相向的位置,并被施加第二驱动电压;

形成端子的工序,所述端子设置于所述基材上的能够与所述导电膜的所述第二主表面相接触的位置。

14.如权利要求13所述的电子器件的制造方法,其特征在于,

还包括:

将第一凹部和第二凹部隔开间隔而形成在绝缘硅基板的硅膜上的工序,绝缘硅基板是通过将氧化硅膜和所述硅膜依次形成在硅基板上而成的,

在所述第一凹部和所述第二凹部之间的所述硅膜形成缝隙的工序,

将金属膜填埋在所述第一凹部、所述第二凹部以及所述缝隙的每一个中的工序;

在形成所述第一驱动电极的工序中,将所述金属膜的填埋在所述第一凹部中的部分作为所述第一驱动电极;

在形成所述第二驱动电极的工序中,将所述金属膜的填埋在所述第二凹部中的部分作为所述第二驱动电极;

在形成所述导电膜的工序中,将所述金属膜的填埋在所述缝隙中部分作为所述导电膜。

15.如权利要求14所述的电子器件的制造方法,其特征在于,还包括:

通过去除所述导电膜旁边的所述硅膜,在所述基材上形成沟槽的工序;

通过去除所述沟槽和所述导电膜各自下面的所述氧化硅膜,使所述导电膜能够沿着所述基材的横向移动的工序。

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