[发明专利]电子器件及其制造方法、电子器件的驱动方法有效

专利信息
申请号: 201180069268.5 申请日: 2011-06-02
公开(公告)号: CN103430272A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 岛内岳明;豊田治;上田知史 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01H59/00 分类号: H01H59/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 金相允;向勇
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电子器件 及其 制造 方法 驱动
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种电子器件及其制造方法、电子器件的驱动方法。

背景技术

在诸如移动电话等电子装置中,对MEMS(Micro Electro Mechanical Systems,微电子机械系统)技术的应用日益增长,以进一步小型化其上安装的电子器件。应用MEMS技术制造的电子器件例如可以包括开关器件、微镜(micro mirror)器件和加速度传感器等。

在这些电子器件中,优选地,通过恰当地控制横梁等移动部的移动来提高其可靠性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:JP特开2010-225810号公报

专利文献2:JP特开平10-327037号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的目的在于提高电子器件及其制造方法、电子器件的驱动方法中电子器件的可靠性。

解决技术问题的方法

根据下文中公开的一个方案,提供一种电子器件,基材;

导电膜,其具备固定在所述基材上的第一端部和第二端部,并在所述第一端部和所述第二端部之间相对于所述基材能够横向移动;第一驱动电极,其设置于所述基材上的与所述导电膜的第一主表面相向的位置,并被施加第一驱动电压;第二驱动电极,其设置于所述基材上的与所述导电膜的第二主表面相向的位置,并被施加第二驱动电压;端子,其设置于所述基材上的能够与所述导电膜的所述第二主表面相接触的位置。

另外,根据下文中公开的另一个方案,提供一种电子器件的制造方法,包括:形成导电膜的工序,所述导电膜具备固定在基材上的第一端部和第二端部,并在所述第一端部和所述第二端部之间相对于所述基材能够横向移动;形成第一驱动电极的工序,所述第一驱动电极设置于所述基材上的与所述导电膜的第一主表面相向的位置,并被施加第一驱动电压;形成第二驱动电极的工序,所述第二驱动电极设置于所述基材上的与所述导电膜的第二主表面相向的位置,并被施加第二驱动电压;形成端子的工序,所述端子设置于所述基材上的能够与所述导电膜的所述第二主表面相接触的位置。

另外,根据下文中公开的又另一个方案,提供一种电子器件的驱动方法,所述电子器件包括:基材,导电膜,其具备固定在所述基材上的第一端部和第二端部,并在所述第一端部和所述第二端部之间相对于所述基材能够横向移动,第一驱动电极,其设置于所述基材上的与所述导电膜的第一主表面相向的位置,第二驱动电极,其设置于所述基材上的与所述导电膜的第二主表面相向的位置,端子,其设置于所述基材上的能够与所述导电膜的所述第二主表面相接触的位置;其中,通过向所述第一驱动电极施加第一驱动电压,使所述导电膜吸附于所述第一驱动电极侧,以使所述导电膜远离所述端子,通过向所述第二驱动电极施加第二驱动电压,使所述导电膜吸附于所述第二驱动电极侧,以使所述端子与所述导电膜连接。

附图说明

图1是满足初步条件的电子器件的立体图。

图2是沿图1中I-I线的剖面图。

图3是在开关处于接通状态时的、满足初步条件的电子器件的剖面图。

图4是第一实施方式的电子器件的立体图。

图5是第一实施方式的电子器件的导电膜及其周围的放大立体图。

图6是第一实施方式的电子器件和用于驱动该电子器件的驱动器IC的示意图。

图7(a)~图7(c)是用于说明第一实施方式的电子器件的驱动方法的示意图。

图8(a)是第一实施方式的电子器件的示意图(其一),图8(b)是其等效电路图。

图9(a)是第一实施方式的电子器件的示意图(其二),图9(b)是其等效电路图。

图10(a)是第一实施方式的电子器件的示意图(其三),图10(b)是其等效电路图。

图11(a)是第一实施方式的电子器件的示意图(其四),图11(b)是其等效电路图。

图12是示出一例第一实施方式的电子器件用途的的示意图。

图13(a)~图13(c)是制造第一实施方式的电子器件的过程中的剖面图(其一)。

图14(a)~图14(c)是制造第一实施方式的电子器件的过程中的剖面图(其二)。

图15(a)、15(b)是制造第一实施方式的电子器件的过程中的剖面图(其三)。

图16是制造第一实施方式的电子器件的过程中的俯视图(其一)。

图17是制造第一实施方式的电子器件的过程中的俯视图(其二)。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180069268.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top