[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其为横向型的半导体装置，所述半导体装置的特征在于，

具备：

半导体基板；

埋入氧化膜，其被形成于所述半导体基板上；

活性层，其被形成于所述埋入氧化膜上，

所述活性层被构成为，以第二导电型阱区和第一导电型阱区从两侧夹持第一导电型漂移区的方式而配置，其中，所述第二导电型阱区包围第一导电型源区，所述第一导电型阱区包围第一导电型漏区，

在所述活性层表面的一部分区域上隔着栅绝缘膜而形成有栅电极，其中，所述栅绝缘膜与所述第二导电型阱区的表面及所述第一导电型漂移区的表面相接，

所述第二导电型阱区的一部分沿着所述栅绝缘膜，而以在载流子移动方向上长于所述栅绝缘膜的长度的方式延伸至所述第一导电型漂移区内。

2.一种半导体装置，其为横向型的半导体装置，所述半导体装置的特征在于，

具备：

半导体基板；

埋入氧化膜，其被形成于所述半导体基板上；

活性层，其被形成于所述埋入氧化膜上，

所述活性层被构成为，以第二导电型阱区和第一导电型阱区从两侧夹持第一导电型漂移区的方式而配置，其中，所述第二导电型阱区包围第一导电型发射区，所述第一导电型阱区包围第二导电型集电区，

在所述活性层表面的一部分区域上隔着栅绝缘膜而形成有栅电极，其中，所述栅绝缘膜与所述第二导电型阱区的表面及所述第一导电型漂移区的表面相接，

所述第二导电型阱区的一部分沿着所述栅绝缘膜而以在载流子移动方向上长于所述栅绝缘膜的长度的方式延伸至所述第一导电型漂移区内。

3.一种半导体装置，其为横向型的半导体装置，所述半导体装置的特征在于，

具备：

半导体基板；

埋入氧化膜，其被形成于所述半导体基板上；

活性层，其被形成于所述埋入氧化膜上，

所述活性层被构成为，以第二导电型阱区和第一导电型阱区从两侧夹持第一导电型漂移区的方式而配置，其中，所述第二导电型阱区包围第一导电型源区，所述第一导电型阱区包围第一导电型漏区，

在所述活性层表面的一部分区域上隔着栅绝缘膜而形成有栅电极，其中，所述栅绝缘膜与所述第二导电型阱区的表面及所述第一导电型漂移区的表面相接，

在所述第一导电型漂移区的表面部上，层叠有与所述栅绝缘膜相接的表面部第二导电型层，

所述表面部第二导电型层的一部分与所述第二导电型阱区的一部分相连接。

4.一种半导体装置，其为横向型的半导体装置，所述半导体装置的特征在于，

具备：

半导体基板；

埋入氧化膜，其被形成于所述半导体基板上；

活性层，其被形成于所述埋入氧化膜上，

所述活性层被构成为，以第二导电型阱区和第一导电型阱区从两侧夹持第一导电型漂移区的方式而配置，其中，所述第二导电型阱区包围第一导电型发射区，所述第一导电型阱区包围第二导电型集电区，

在所述活性层表面的一部分区域上隔着栅绝缘膜而形成有栅电极，其中，所述栅绝缘膜与所述第二导电型阱区的表面及所述第一导电型漂移区的表面相接，

在所述第一导电型漂移区的表面部上，形成有与所述栅绝缘膜相接的表面部第二导电型层，

所述表面部第二导电型层的一部分与所述第二导电型阱区的一部分相连接。

5.一种半导体装置，其为横向型的半导体装置，所述半导体装置的特征在于，

具备：

半导体基板；

埋入氧化膜，其被形成于所述半导体基板上；

活性层，其被形成于所述埋入氧化膜上，

所述活性层被构成为，以第一导电型阱区和第二导电型阱区从两侧夹持第一导电型漂移区的方式而配置，其中，所述第一导电型阱区包围第二导电型源区，所述第二导电型阱区包围第二导电型漏区，

在所述活性层表面的一部分区域上隔着栅绝缘膜而形成有栅电极，其中，所述栅绝缘膜与所述第一导电型阱区的表面及所述第一导电型漂移区的表面相接，

在所述第一导电型漂移区的表面部上，形成有与所述栅绝缘膜相接的表面部第二导电型层，

所述表面部第二导电型层的一部分与所述第二导电型阱区的一部分相连接。

6.如权利要求3至5中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述表面部第二导电型层的一部分沿着所述栅绝缘膜而朝向所述第二导电型阱区延伸。