[发明专利]用于半导体器件的电磁干扰屏蔽和热耗散有效
申请号: | 201180071126.2 | 申请日: | 2011-12-16 |
公开(公告)号: | CN103718279B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 付鹏;罗杉;吕忠;钱开友;邱进添;C.俞;H.塔基亚;白晔 | 申请(专利权)人: | 晟碟半导体(上海)有限公司;晟碟信息科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/44;H01L23/34;H01L23/552 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体器件 电磁 干扰 屏蔽 耗散 | ||
1.一种存储装置,包括:
包括接地焊垫的衬底;
耦合到所述衬底的一个或多个电子部件;
封装所述一个或多个电子部件的模塑料;
形成于所述模塑料的一个或多个表面上的层,所述层包括金属;以及
与所述衬底上的所述接地焊垫以及所述模塑料上的所述层接触的接地夹。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述模塑料的一个或多个表面上的所述层是用于通过反射和/或吸收电磁和/或射频辐射来屏蔽电磁和/或射频辐射的层。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述模塑料的一个或多个表面上的所述层是用于散发所述存储装置内产生的热的金属层。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述层来自金属层转印组件。
5.根据权利要求4所述的装置,其中所述金属层转印组件是传热箔。
6.根据权利要求4所述的装置,其中所述金属层转印组件是模具内卷箔。
7.根据权利要求4所述的装置,其中所述层是与固化所述模塑料同时从所述金属层转印组件转印的。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述层包括来自墨喷式打印机的墨滴。
9.根据权利要求1所述的装置,其中所述层是固体连续层。
10.根据权利要求1所述的装置,其中所述层具有网孔图案。
11.一种存储装置,包括:
包括接地焊垫的衬底;
耦合到所述衬底的一个或多个电子部件;
封装所述一个或多个电子部件的模塑料;
形成于所述模塑料的一个或多个表面上的层,所述层包括金属;以及
形成于所述模塑料内并与所述衬底上的所述接地焊垫以及所述模塑料上的所述层接触的接地夹。
12.根据权利要求11所述的装置,其中所述模塑料的一个或多个表面上的所述层屏蔽电磁和/或射频辐射并耗散来自所述存储装置内的热量。
13.根据权利要求11所述的装置,其中所述层是固体连续层。
14.根据权利要求11所述的装置,其中所述层具有网孔图案。
15.一种在存储装置中提供电磁屏蔽和/或散热的方法,包括:
(a)在模具内设置金属层以封装存储装置;
(b)在所述模具内设置一个或多个存储装置,以封装所述一个或多个存储装置;
(c)在所述模具内提供一定量的模塑料以封装所述一个或多个存储装置,所述模塑料与所述金属层接触;
(d)封装所述一个或多个存储装置;以及
(e)在封装所述一个或多个存储装置的步骤(d)期间将所述金属层粘合到模塑料的表面。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述步骤(d)包括利用压制成型工艺封装所述一个或多个存储装置。
17.根据权利要求15所述的方法,其中步骤(d)和(e)包括向所述模塑料和金属层施加热,以固化所述模塑料,并在完成所述模塑料的固化之前将所述金属层交联到所述模塑料。
18.根据权利要求15所述的方法,其中所述一个或多个存储装置包括具有接地焊垫的衬底,所述方法还包括步骤(f):将所述金属层接地到所述接地焊垫。
19.根据权利要求18所述的方法,其中所述步骤(f)包括在所述步骤(d)中将接地夹安装到所述接地焊垫并封装所述接地夹的步骤,所述接地夹的一部分接触所述金属层。
20.根据权利要求19所述的方法,其中在步骤(d)的封装期间使所述接地夹压缩抵靠所述金属层。
21.根据权利要求15所述的方法,其中所述步骤(a)包括在所述模具中设置金属层转印组件的步骤。
22.根据权利要求15所述的方法,其中所述步骤(a)包括在所述模具中设置具有固体连续表面的金属层的步骤。
23.根据权利要求15所述的方法,其中所述步骤(a)包括在所述模具中设置具有带开口的图案的金属层的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晟碟半导体(上海)有限公司;晟碟信息科技(上海)有限公司,未经晟碟半导体(上海)有限公司;晟碟信息科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180071126.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种真空低温泵中的二级冷板
- 下一篇:真空泵分体式铝油箱结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造