[发明专利]用于半导体器件的电磁干扰屏蔽和热耗散

说明书

技术领域

本技术涉及半导体器件的制造。

背景技术

对便携式消耗电子产品的需求的强势增长驱动了对高容量存储装置的需求。非易失性半导体存储器件，例如闪速存储器存储卡，正广泛用于满足对数字信息存储和交换的不断增长的需求。它们的便携性、通用性和结实的设计，连同其高可靠性和大容量，使得这样的存储装置可理想用于各种电子装置中，包括，例如数字摄像机、数字音乐播放器、视频游戏控制台、PDA和蜂窝电话。

尽管已知各式各样的封装配置，但通常可以将闪速存储器存储卡制造成单封装系统（SiP）或多芯片模块（MCM），其中以堆叠结构在衬底上安装多个裸芯。在现有技术图1和2中示出了常规半导体封装20（没有模塑料）的边视图。典型的封装包括安装到衬底26上的多个半导体裸芯22、24。已知以相互偏移的方式（现有技术图1）或堆叠结构逐层堆积半导体裸芯。在堆叠结构中，可以由其中可以埋设来自下方裸芯的焊丝的膜层或间隔体层34（现有技术图2）来分隔裸芯22、24。尽管图1和2中未示出，但半导体裸芯在裸芯上表面上形成有裸芯焊垫。衬底26可以由夹在上下导电层之间的电绝缘内核形成。

可以蚀刻上和/或下导电层以形成包括电气引线和结合叉指的导电图案。可以在半导体裸芯22、24的裸芯结合焊垫和衬底26的结合叉指之间结合丝焊以将半导体裸芯电耦合到衬底。衬底上的电气引线又提供了裸芯和主机装置之间的电路径。一旦形成了裸芯和衬底之间的电连接，通常以膜塑料包覆组件以提供保护性封装。

随着电子部件变得越来越小并以越来越高频率工作，由电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI）导致的噪声和串扰变得更加令人关注。电磁辐射是由携带迅速变化的信号的电路发射的，是其正常工作的副产品。EMI是向其他电路诱发的电磁辐射，导致不希望的信号（干扰或噪声）。RFI是射频电磁辐射从一个电路向另一个电路的传输，也导致不希望的干扰或噪声。

一些半导体封装曾尝试在半导体封装级上屏蔽EMI和RFI辐射的发射和接收。尽管防止了干扰，但这些常规方案具有其他缺点，使得在封装级包括这样的特征是不合需要的。因此，通常在使用半导体封装的主机装置级进行屏蔽。主机装置级的方案通常涉及在接收或安装半导体封装的空间周围提供金属屏蔽。

附图说明

图1和2是省略了模塑料的两种常规半导体封装设计的现有技术侧视图。

图3是本公开实施例的流程图。

图4是根据本公开实施例在封装过程期间形成于存储器件上的金属层转印组件一部分的侧视图。

图5是根据本公开实施例在封装之前的存储装置面板。

图6是封装存储装置之前上模板上的存储装置面板和下模板上的金属层转印组件的侧视图。

图7是图6中的侧视图，还包括下模板中的模塑料。

图8示出了图7模板和模塑料的侧视图，其中存储装置浸入模塑料中。

图9是固化模塑料之后模塑料中的上下模板和存储装置的侧视图。

图10是已封装存储装置的面板俯视图，金属层被从金属层转印组件转印到模塑料上。

图11是根据本公开实施例的包括金属层的个体化存储装置。

图12是根据本公开可选实施例的包括金属层的个体化存储装置。

图13是通过图11的线13-13的截面。

图14和15是类似于图13的视图，示出了本公开的其他实施例。

图16是示出了根据本公开实施例的衬底、存储器裸芯和接地夹的透视图。

图17是示出了图16的衬底、存储器裸芯和接地夹的侧视图。

图18是具有接地夹和下模板的存储装置侧视图，下模板包括金属层转印组件和模塑料。

图19是图18中的侧视图，其中接地夹与底模板上的金属层转印组件啮合。

图20是图19中的侧视图，其中接地夹压到底模板上的金属层转印组件。

图21是根据本公开实施例的已完成的存储装置。

图22示出了可选实施例，其中在封装之后在模塑料上形成屏蔽和/或散热层。

具体实施方式