[发明专利]显示面板装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示面板装置，包括：

基板；

栅电极，其形成在所述基板上；

栅极绝缘膜，其形成在所述栅电极上；

第1源电极，其形成在所述栅极绝缘膜上；

第2源电极，其形成在所述第1源电极上；

第1漏电极，其形成在所述栅极绝缘膜上；

第2漏电极，其形成在所述第1漏电极上；

隔壁部，其具有至少露出所述第2源电极的一部分和所述第2漏电极的一部分的开口；

半导体层，其形成于所述开口内，至少与所述第2源电极和所述第2漏电极接触；

绝缘层，其形成在所述半导体层的上方；

像素电极，其形成在所述绝缘层上；以及

接触孔，其形成于所述绝缘层，用于对所述像素电极与所述第2漏电极或所述第2源电极进行连接，

所述第2源电极和所述第2漏电极的膜构造比所述第1源电极和所述第1漏电极的膜构造疏。

2.根据权利要求1所述的显示面板装置，

所述第1源电极和所述第1漏电极的薄膜电阻比所述第2源电极和所述第2漏电极的薄膜电阻小。

3.根据权利要求2所述的显示面板装置，

所述第1源电极和所述第1漏电极的薄膜电阻为0.5～5Ω/□，

所述第2源电极和所述第2漏电极的薄膜电阻为80～140Ω/□。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示面板装置，

所述第2漏电极的与所述半导体层接触的部分的膜厚比与所述半导体层不接触的部分的膜厚薄，并且，所述第2漏电极在与所述接触孔对应的部分形成有凹陷部。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示面板装置，

所述第2源电极和所述第2漏电极的膜厚为20nm以上。

6.一种显示面板装置的制造方法，包括：

第1工序，在基板上形成栅电极；

第2工序，在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；

第3工序，在所述栅极绝缘膜上形成第1金属膜；

第4工序，在所述第1金属膜上形成具有比所述第1金属膜的膜构造疏的膜构造的第2金属膜；

第5工序，通过对所述第1金属膜和所述第2金属膜进行图案形成，从而形成源电极和漏电极；

第6工序，在所述源电极和所述漏电极上形成隔壁层；

第7工序，通过对所述隔壁层进行图案形成，形成开口以露出所述源电极与所述漏电极之间的所述栅极绝缘膜、所述源电极和所述漏电极的一部分，从而形成隔壁；

第8工序，在所述开口内，遍及所述源电极和所述漏电极的上表面以及所述栅极绝缘膜的上表面而形成半导体层；

第9工序，在所述半导体层的上方形成绝缘层；

第10工序，在隔着所述隔壁与所述半导体层相反一侧的区域中的所述漏电极上的所述绝缘层形成接触孔，露出所述漏电极；以及

第11工序，在所述绝缘层上和从所述接触孔露出的所述漏电极上形成像素电极。

7.根据权利要求6所述的显示面板装置的制造方法，

在所述第7工序中，在所述隔壁层形成所述开口时除去所述第2金属膜的上层的一部分，同时除去所述第2金属膜上的所述隔壁层的残渣。

8.根据权利要求6或7所述的显示面板装置的制造方法，

在所述第10工序与所述第11工序之间，包括除去在从所述接触孔露出的所述漏电极形成的表面氧化膜的工序。

9.根据权利要求8所述的显示面板装置的制造方法，

在除去所述表面氧化膜的工序中，在从所述接触孔露出的所述漏电极的所述第2金属膜形成凹陷部。