[发明专利]显示面板装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示面板装置及其制造方法，尤其涉及具备半导体层形成在隔壁内的薄膜晶体管的显示面板装置及其制造方法。

背景技术

在液晶显示装置或者有机EL（Electro Luminescence：电致发光）显示装置等有源矩阵驱动型的显示装置中，使用被称为TFT（Thin Film Transistor）的薄膜晶体管。

在已产品化的显示装置中，一般使用将硅用作半导体层的薄膜晶体管，但近年来，使用能够通过液相工艺形成半导体层的薄膜晶体管正受到关注。特别是将有机材料等用作半导体层的有机薄膜晶体管正受到关注。这些能够以液相工艺形成半导体层的薄膜晶体管的工艺温度低，能够将具有可挠性的材料（例如塑料等树脂）用于基板。

因此，通过使用能够以液相工艺形成半导体层的薄膜晶体管（特别是有机薄膜晶体管），能够对使用了硅的薄膜晶体管的电子器件实现更轻、更薄而且具有可挠性的电子器件。因此，提出了将有机薄膜晶体管利用于下一代显示装置或电子纸等中的方案。

例如，在专利文献1中公开了底栅（bottom gate）型有机薄膜晶体管。以往的有机薄膜晶体管具备栅电极、栅极绝缘膜、一对源电极和漏电极（源漏电极）以及在栅电极上具有开口的隔壁部，并且具备通过喷墨法在隔壁部的开口内形成的有机半导体层。

例如在具备排列成矩阵状的多个像素的TFT阵列基板中，这样构成的有机薄膜晶体管被作为按各像素设置的驱动晶体管或开关晶体管来使用。另外，在各像素的有机薄膜晶体管中，源漏电极延伸设置也作为布线发挥功能。

在先技术文献

专利文献1：日本特开2008-22008号公报

发明内容

发明要解决的问题

近年来，伴随着显示面板装置的大画面化，像素电路单元中的布线变长，布线电阻变高，存在显示图像的质量（品质）劣化的问题。特别是由于薄膜晶体管中的源漏电极的一部分延伸设置也作为布线发挥功能，所以源漏电极的材料和构造不只要求作为薄膜晶体管的性能，也要求作为布线的性能。

另外，在使用通过液相工艺形成的半导体层来作为沟道层的情况下，为了区划半导体层，形成有隔壁部。此时，有时隔壁部的残渣会残留在源漏电极的表面上。当在源漏电极上存在残渣时，与源漏电极接触的部分的半导体层的结晶性会劣化，存在TFT特性下降的问题。

进一步，在显示面板装置中，为了使驱动电路单元平坦化而形成绝缘层以覆盖薄膜晶体管，在该绝缘层上形成有显示元件的像素电极。虽然源漏电极与像素电极经由形成于绝缘层的接触孔而相连接，但在烧成（烧结）绝缘层时，接触孔部的源漏电极的表面暴露在高温气氛中，会在源漏电极的表面形成氧化膜。由此，存在如下的问题：源漏电极与像素电极的接触电阻增大，并且接触电阻值产生不匀，材料利用率会下降。

本发明是为解决上述问题而完成的发明，目的在于提供一种显示面板装置及其制造方法，所述显示面板装置具备薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有能够成为低电阻化布线并且能实现与像素电极良好的接触且能实现优异的TFT特性的源漏电极。

用于解决问题的手段

为了解决上述问题，本发明涉及的显示面板装置的一种方式包括：基板；栅电极，其形成在所述基板上；栅极绝缘膜，其形成在所述栅电极上；第1源电极，其形成在所述栅极绝缘膜上；第2源电极，其形成在所述第1源电极上；第1漏电极，其形成在所述栅极绝缘膜上；第2漏电极，其形成在所述第1漏电极上；隔壁部，其具有至少露出所述第2源电极的一部分和所述第2漏电极的一部分的开口；半导体层，其形成于所述开口内，至少与所述第2源电极和所述第2漏电极接触；绝缘层，其形成在所述半导体层的上方；像素电极，其形成在所述绝缘层上；以及接触孔，其形成于所述绝缘层，用于对所述像素电极与所述第2漏电极或所述第2源电极进行连接，所述第2源电极和所述第2漏电极的膜构造比所述第1源电极和所述第1漏电极的膜构造疏。

发明的效果

根据本发明涉及的显示面板装置，能够实现低电阻化布线。另外，能够实现具有能实现与像素电极良好的接触且能实现优异的TFT特性的源漏电极的薄膜晶体管。

附图说明

图1是表示本发明实施方式涉及的显示面板装置的一个像素的结构的剖视图。

图2A是表示将通过各种成膜条件溅射成膜时的膜构造模型化而得到的Thornton模型的图。

图2B是表示Mo单层中的低密度膜和高密度膜与薄膜电阻的关系的图。