[发明专利]半导体发光器件制造方法和以该方法制造的半导体发光器件无效
| 申请号： | 201180072761.2 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103733359A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 韩在镐;金晟泰;蔡昇完;李钟昊;金制远 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光器件的制造方法，所述方法包括步骤：
通过在衬底的第一主表面上顺序地生长第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层而形成发光结构，所述衬底具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；
在所述衬底的第二主表面上形成反射膜，所述反射膜包括至少一个激光吸收区；以及
进行划线处理，通过从所述发光结构的顶表面之上与所述激光吸收区相对应的位置将激光照射到所述发光结构和所述衬底来使所述发光结构和所述衬底分成器件单元。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：
在所述发光结构的两个或更多区域中去除所述发光结构的一部分，以针对每一个器件单元暴露出所述第一导电类型半导体层的一部分；
在所述第一导电类型半导体层的暴露部分上形成第一电极；以及
在所述第二导电类型半导体层上形成第二电极。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反射膜的除了所述激光吸收区以外的区域由包含Ag或Al的材料制成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述激光的波长为800nm至1200nm。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述激光吸收区由单一金属或合金制成。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述激光吸收区由金属氧化物制成。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述激光吸收区由从含有C、Cu和Ti的组中选出的材料制成。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：在形成所述反射膜之前对所述衬底进行研磨处理。
9.一种半导体发光器件，包括：
衬底，所述衬底具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；
发光结构，所述发光结构形成在所述衬底的第一主表面上并且包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；
反射膜，所述反射膜形成在所述衬底的第二主表面上；以及
激光吸收区，所述激光吸收区形成在所述反射膜的一侧。
10.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，所述激光吸收区的侧面与所述衬底和所述发光结构的侧面在相同的平面上。
11.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，所述激光吸收区由能够吸收波长为800nm至1200nm的激光的材料制成。
12.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，所述激光吸收区由单一金属或合金制成。
13.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，所述激光吸收区由金属氧化物制成。
14.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，所述激光吸收区由从含有C、Cu和Ti的组中选出的材料制成。
15.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，所述反射膜由含有Ag或Al的材料制成。
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