[发明专利]半导体发光器件制造方法和以该方法制造的半导体发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体发光器件的制造方法以及通过该方法制造的半导体发光器件，更具体地说，本发明涉及在用于分离器件单元的划线处理中能够使对发光结构的损伤最小化的半导体发光器件的制造方法。

背景技术

半导体发光器件是一种对其施加电流时能够通过在p型半导体与n型半导体之间的p-n结处发生的电子-空穴复合而发出各种颜色的光的半导体器件。与基于灯丝的发光装置相比，半导体发光器件具有多方面的优点，例如寿命较长、功耗较低、优良的初始操作特性、抗震性高等；因此，对半导体发光器件的需求持续增长。具体地说，最近，能够发出短波长蓝光的第III族氮化物半导体已引起关注。

在普通半导体发光器件的情况下，通过在衬底的一个表面上顺序地生长n型半导体层、有源层和p型半导体层来形成发光结构，然后通过划线处理将发光结构分成器件单元。可以通过使用钻石针尖进行机械划线或者进行激光划线来执行划线处理。在衬底的另一个表面施加有金属反射膜的情况下，机械划线是不可行的，这是因为使用钻石针尖很难在软金属板上形成凹槽。即便衬底的另一个表面施加有金属反射膜也可以使用激光划线；然而，在划线处理中由激光束产生的碎屑可能会吸附到发光结构上（尤其吸附在发光结构的侧面）或者可能会发生晶体结构变化，发光结构在这种区域会起到吸光层的作用，从而导致照明效率的降低。

发明内容

[技术问题]

本发明的一个方面可以提供一种在用于分离器件单元的划线处理中能够使对发光结构的损伤最小化的半导体发光器件的制造方法。

本发明的一个方面还可以提供一种通过上述方法制造的半导体发光器件。

[技术方案]

根据本发明的一个方面，一种半导体发光器件的制造方法可以包括步骤：通过在衬底的第一主表面上顺序地生长第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层而形成发光结构，所述衬底具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；在所述衬底的第二主表面上形成反射膜，所述反射膜包括至少一个激光吸收区；以及进行划线处理，通过从所述发光结构顶部与所述激光吸收区相对应的部分将激光照射到所述发光结构和所述衬底来使所述发光结构和所述衬底分成器件单元。

所述方法还可以包括步驟：在所述发光结构的两个或更多区域中去除所述发光结构的一部分，以针对每一个器件单元暴露出所述第一导电类型半导体层的一部分；在所述第一导电类型半导体层的暴露部分上形成第一电极；以及在所述第二导电类型半导体层上形成第二电极。

所述反射膜的除了所述激光吸收区以外的区域可以由包含Ag或Al的材料制成。

所述激光的波长可以为800nm至1200nm。

所述激光吸收区可以由单一金属或合金制成。

所述激光吸收区可以由金属氧化物制成。

所述激光吸收区可以由从含有C、Cu和Ti的组中选出的材料制成。

所述方法还可以包括步骤：在形成所述反射膜之前对所述衬底进行研磨处理。

根据本发明的另一个方面，一种半导体发光器件可以包括：衬底，所述衬底具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；发光结构，所述发光结构形成在所述衬底的第一主表面上并且包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；反射膜，所述反射膜形成在所述衬底的第二主表面上；以及激光吸收区，所述激光吸收区形成在所述反射膜的一侧。

所述激光吸收区的侧面可以与所述衬底和所述发光结构的侧面在相同的平面上。

所述激光吸收区可以由能够吸收波长为800nm至1200nm的激光的材料制成。

所述激光吸收区可以由单一金属或合金制成。

所述激光吸收区可以由金属氧化物制成。

所述激光吸收区可以由从含有C、Cu和Ti的组中选出的材料制成。

所述反射膜可以由含有Ag或Al的材料制成。

[有益效果]

当使用根据本发明示例性实施例的半导体发光器件的制造方法时，使用隐形激光进行划线处理，因而可以使在发光结构侧面上形成不期望的吸光层的情况最小化。因此，所制造的半导体发光器件可以具有改进的可靠性和照明效率。

附图说明

图1至图7是示出根据本发明示例性实施例的半导体发光器件的制造方法的截面图；以及

图8是示出根据本发明示例性实施例的半导体发光器件的截面图。

具体实施方式

下面，将参考附图详细描述本发明的实施例。