[发明专利]具有多个独立栅极晶体管的类反相器电路

权利要求书

1.一种电路，所述电路包括在用于施加电源电位的第一和第二终端之间的与第二类型沟道的晶体管串联的第一类型沟道的晶体管，晶体管中的每一个为至少具有第一独立控制栅极（G_1P、G_1N）和第二独立控制栅极（G_2P、G_2N）的多栅极晶体管，

其特征在于，所述晶体管中至少一个配置为在施加至其第二控制栅极（G_2P、G_2N）的第二栅极信号的作用下以耗尽模式操作。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第二控制栅极通过相同的第二栅极信号偏置，并且用于施加电源电位的第一或第二终端通过所述第二栅极信号的互补信号偏置。

3.根据权利要求2所述的电路，其中，当用于施加电源电位的第一终端通过所述第二栅极信号的互补信号偏置时，用于施加电源电位的第二终端偏置在OFF状态。

4.根据权利要求3所述的电路，其中，所述第二类型沟道的晶体管配置为当第二栅极信号为ON状态时以耗尽模式操作。

5.根据权利要求2所述的电路，其中，当用于施加电源电位的第二终端通过所述第二栅极信号的互补信号偏置时，用于施加电源电位的第一终端偏置为ON状态。

6.根据权利要求5所述的电路，其中，所述第一类型沟道的晶体管配置为当第二栅极信号为OFF状态时以耗尽模式操作。

7.根据权利要求1所述的电路，其中，用于施加电源电位的第一终端偏置在ON状态，而用于施加电源电位的第二终端偏置在OFF状态。

8.根据前述权利要求中任一项所述的电路，包括输入节点和输出节点，所述输入节点连接至所述晶体管中的每一个的第一控制栅极，所述输出节点连接至晶体管的串联接合的中点。

9.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中，所述晶体管为完全耗尽的。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的电路，其中，所述晶体管为双独立栅极FET晶体管，其第一和第二独立栅极布置为在横向上每一个在所述晶体管的沟道区域的一侧上。

11.根据权利要求1-9中任一项所述的电路在包括通过掩埋绝缘层与基底衬底隔开的半导体材料的薄层的绝缘体上半导体衬底上制成，其中，每个晶体管的第一栅极为围绕所述晶体管的沟道的全部三个面的前三栅极，并且每个晶体管的第二控制栅极为在所述晶体管的沟道之下的基底衬底中形成的背控制栅极并且通过掩埋绝缘层与所述沟道隔开。

12.一种系统，所述系统包括至少一个根据前述权利要求中任一项所述的电路，以及设计为改变提供给所述至少一个电路的输入使得通过所述至少一个电路提供的逻辑功能能够在逻辑INV、NOR和NAND功能之间进行变化的控制电路。

13.一种字线驱动电路，所述字线驱动电路包括并联布局的根据权利要求3-4所述的至少一对电路，该对中的每个电路意在从行地址译码器接收输入信号，并且在输出处为多个布局为行的存储器单元提供意在用作局部字线的信号。

14.一种存储器，所述存储器包含根据权利要求13所述的字线驱动电路。

15.一种用于控制根据权利要求13所述的驱动电路的方法，其中：

-在有源模式中，用于偏置一对电路中的第一电路的第二栅极的信号与用于偏置该对电路中的第二电路的第二栅极的信号互补；

-在无源模式中，用于施加电源电位的第一终端和用于偏置该对电路中的每一个的第二栅极的信号为OFF状态。