[发明专利]SiC单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201180074036.9 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103930601B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 加渡干尚;大黑宽典;楠一彦 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;新日铁住金株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC单晶的制造方法，是在坩埚内从C的Si熔液使SiC单晶生长的方法，其特征在于，使高过饱和度生长期和低过饱和度生长期交替反复，所述高过饱和度生长期是将正在生长的SiC单晶与Si熔液的生长界面处的Si熔液中的C的过饱和度维持得比能够维持平坦生长的上限的临界值高来进行生长的生长期；所述低过饱和度生长期是将所述过饱和度维持得比所述临界值低来进行生长的生长期。
2.根据权利要求1所述的SiC单晶的制造方法，其特征在于，使用数值Sa与数值Sb的比率作为最佳化参数，所述数值Sa是将所述高过饱和度与所述临界值的差量在所述高过饱和度生长期的继续时间范围积分所得到的值，所述数值Sb是将所述低高过饱和度与所述临界值的差量在所述低过饱和度生长期的继续时间范围积分所得到的值。
3.根据权利要求1或2所述的SiC单晶的制造方法，其特征在于，通过使从所述生长界面到所述坩埚内的Si熔液表面所形成的弯液面的高度增减，来使所述过饱和度增减。
4.根据权利要求1或2所述的SiC单晶的制造方法，其特征在于，通过使所述坩埚内的Si熔液中的温度梯度增减，使所述过饱和度增减。
5.根据权利要求2所述的SiC单晶的制造方法，其特征在于，Sb/Sa≥1.25。
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