[发明专利]用非易失性随机存取存储器提供对休眠状态转变的即时响应的方法和系统有效
申请号: | 201180075454.X | 申请日: | 2011-12-13 |
公开(公告)号: | CN104106057B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 林纳·K·普蒂耶达思;雷·K·拉马奴詹;迈克尔·罗思曼;布莱斯·范宁;文森特·J·齐默 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G06F13/14 | 分类号: | G06F13/14;G06F1/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 杨美灵,汤春龙 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用非易失性 随机存取存储器 提供 休眠 状态 转变 即时 响应 方法 系统 | ||
1.一种用非易失性随机存取存储器改进休眠状态转变的响应的方法,包括:
接收对于计算机系统进入带电休眠状态的请求,所述计算机系统包括耦合到非易失性随机存取存储器NVRAM的处理器,所述NVRAM由所述处理器可存取而无需通过所述计算机系统的I/O子系统,所述NVRAM是由所述处理器字节可重写的并且字节可擦除的,所述带电休眠状态定义为其中向所述计算机系统中的易失性随机存取存储器提供电力的状态;
响应于所述请求,将所述带电休眠状态转换成断电休眠状态,其中系统存储器上下文存储在所述NVRAM中,所述断电休眠状态定义为其中从所述易失性随机存取存储器移除电力的状态,
响应于唤醒事件,使用存储在所述NVRAM中的所述系统存储器上下文重新开始工作状态操作。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述NVRAM包括相变存储器(PCM)。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述易失性随机存取存储器包括用作所述NVRAM的存储器侧高速缓存的动态随机存取存储器(DRAM)。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述易失性随机存取存储器包括与所述NVRAM组合使用作为所述计算机系统的系统存储器的动态随机存取存储器(DRAM)。
5.如权利要求1所述的方法,还包括:
设置指示所述计算机系统已经进入从所述带电休眠状态转换的所述断电休眠状态的标志。
6.如权利要求1所述的方法,还包括:
在转变到所述断电休眠状态之前,设立所述带电休眠状态的重新开始向量以便所述处理器在唤醒时返回,其中所述重新开始向量指向存储由所述处理器在唤醒时可执行的初始化代码的固件位置。
7.如权利要求1所述的方法,其中所述易失性随机存取存储器包括动态随机存取存储器(DRAM),所述方法还包括:
在所述唤醒事件时,使用存储在所述NVRAM中的所述系统存储器上下文初始化所述计算机系统;以及
在所述初始化已经开始之后,接通到所述DRAM的电力。
8.一种用非易失性随机存取存储器改进休眠状态转变的响应的设备,包括:
处理器,其在计算机系统中;以及
非易失性随机存取存储器NVRAM,其耦合到所述处理器并由所述处理器可存取而无需通过所述计算机系统的I/O子系统,所述NVRAM是由所述处理器字节可重写的并且字节可擦除的,
其中在请求所述计算机系统进入带电休眠状态时,所述处理器将所述带电休眠状态转换成断电休眠状态,其中系统存储器上下文存储在所述NVRAM中,所述带电休眠状态定义为其中向所述计算机系统中的易失性随机存取存储器提供电力的状态,而所述断电休眠状态定义为其中从所述易失性随机存取存储器移除电力的状态;并且
其中在唤醒事件时,所述计算机系统使用存储在所述NVRAM中的所述系统存储器上下文重新开始工作状态操作。
9.如权利要求8所述的设备,其中所述NVRAM包括相变存储器(PCM)。
10.如权利要求8所述的设备,其中所述易失性随机存取存储器包括用作所述NVRAM的存储器侧高速缓存的动态随机存取存储器(DRAM)。
11.如权利要求10所述的设备,还包括:
存储器侧高速缓存控制器,其耦合到所述DRAM以控制对所述DRAM的存取。
12.如权利要求8所述的设备,其中所述易失性随机存取存储器包括与所述NVRAM组合使用作为所述计算机系统的系统存储器的动态随机存取存储器(DRAM)。
13.如权利要求8所述的设备,还包括:
固件,其耦合到所述处理器,所述固件的位置由所述带电休眠状态的重新开始向量指向,并且其上存储了由所述处理器在唤醒时可执行的初始化代码,其中在转变到所述断电休眠状态之前,所述处理器设立所述带电休眠状态的所述重新开始向量以便所述处理器在唤醒时返回。
14.如权利要求8所述的设备,其中所述易失性随机存取存储器包括动态随机存取存储器(DRAM),并且其中所述处理器:
在所述唤醒事件时使用存储在所述NVRAM中的所述系统存储器上下文初始化所述计算机系统,并且在所述初始化已经开始之后接通到所述DRAM的电力。
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