[发明专利]用非易失性随机存取存储器提供对休眠状态转变的即时响应的方法和系统

说明书

技术领域

一般而言，本发明的实施例涉及计算机系统领域。更具体地说，本发明实施例涉及使用非易失性随机存取存储器改进休眠状态转变的响应。

背景技术

A.当前存储器和存储装置配置

现今计算机创新的限制因素之一是存储器和存储装置技术。在常规计算机系统中，系统存储器(也称为主存储器、主要存储器、可执行存储器)通常由动态随机存取存储器(DRAM)实现。基于DRAM的存储器甚至当没有存储器读或者写发生时也耗电，这是因为它不断给内部电容器再充电。基于DRAM的存储器是易失性的，这意味着，一旦电力被移除，存储在DRAM存储器中的数据就丢失。

对于许多计算机系统，特别是移动平台，在成本和性能方面，用电效能是关键问题。一般而言，除了持久的电池寿命，用户对现代平台相对于对“开”转变、应用启动等用户感受到的立即响应具有更高的期望。为了实现即时响应，这些平台在快速易失性DRAM中保持应用状态活动，同时甚至当系统不使用时也维持DRAM上的电力。DRAM电力是电池寿命上的大大耗用。从而，许多常规平台不得不降低存储器容量以便延长其电池寿命。

B.相变存储器(PCM)以及相关技术

相变存储器(PCM)(有时也称为相变随机存取存储器(PRAM或PCRAM)、PCME、奥式统一存储器或硫属化物（chalcogenide）RAM(C-RAM))是采用硫属化物玻璃的独特行为的非易失性计算机存储器类型。作为由电流经过产生的热量的结果，硫属化物玻璃可在两种状态——晶体与非晶体之间切换。PCM的当前版本可获得两种截然不同的附加状态，有效地使存储器存储容量加倍。

PCM提供比闪存更高的性能，这是因为PCM的存储器元件可更快地开关，可进行写(将各个位改变成1或0)而无需首先擦除单元的整个块，并且来自写的降级更慢(PCM装置可存活近似1亿个写循环；PCM降级是由于编程期间的热膨胀、金属(和其它材料)迁移以及其它机制引起的)。

附图说明

以下说明书和附图用于阐明本发明的实施例。在附图中：

图1阐明了根据本发明实施例的高速缓存和系统存储器布置。

图2阐明了在其上可实现本发明实施例的计算机系统。

图3阐明了在其上可实现本发明实施例的备选计算机系统。

图4A是阐明根据本发明实施例转变到休眠状态的方法的流程图。

图4B是阐明根据本发明实施例转变出休眠状态的方法的流程图。

图5是阐明根据本发明实施例的休眠状态转换的框图。

图6是阐明根据本发明实施例在休眠请求时执行休眠状态转换的方法的流程图。

图7是阐明根据本发明实施例在唤醒事件时执行休眠状态转换的方法的流程图。

具体实施方式

在以下描述中，阐述了许多具体细节，诸如逻辑实现、操作码、规定操作数的构件、资源划分/共享/复制实现、系统组件的类型和相互关系以及逻辑划分/集成选择，以便提供对本发明的更透彻理解。然而，本领域技术人员将认识到，没有此类特定细节也可实践本发明。在其它实例中，控制结构、门级电路以及全软件指令序列未详细示出，以免模糊了本发明。本领域普通技术人员用所包含的描述将能够实现适当功能性，而无需过多实验。

在说明书中提到“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等指示所描述的实施例可包含具体特征、结构或特性，但可能不一定每一个实施例都包含该具体特征、结构或特性。此外，此类短语不一定是指同一实施例。进一步说，当具体特征、结构或特性结合一实施例描述时，认为结合其它实施例实现此类特征、结构或特性在本领域技术人员的知识范围内，而不管是否明确描述了。

在以下说明书和权利要求书中，可以使用术语“耦合”和“连接”连同它们的派生词。应该理解，这些术语不打算作为彼此的同义词。“耦合”用于指示可以直接彼此物理接触或电气接触或者可以不直接彼此物理接触或电气接触的两个或更多元件彼此协同操作或交互作用。“连接”用于指示在彼此耦合的两个或更多元件之间建立通信。

带括号的文本以及具有虚线边框(例如大破折号、小破折号、点划线、点等)的块有时在本文用于阐明向本发明实施例添加附加特征的可选操作/组件。然而，此类记号不应该被视为意味着这些是仅有的选项或仅有的可选操作/组件，和/或不应该被视为意味着具有实线边框的块在本发明的某些实施例中不是可选的。

介绍